Informacja

Drogi użytkowniku, aplikacja do prawidłowego działania wymaga obsługi JavaScript. Proszę włącz obsługę JavaScript w Twojej przeglądarce.

Przeglądasz jako GOŚĆ

Wyszukujesz frazę ""Meneghesso, Gaudenzio"" wg kryterium: Autor


Tytuł :
Observation of ID-VD Kink in N-Polar GaN MIS-HEMTs at Cryogenic Temperatures.
Autorzy :
Bisi, Davide
Meneghesso, Gaudenzio
Mishra, Umesh K.
Zanoni, Enrico
Wienecke, Steven
Romanczyk, Brian
Li, Haoran
Ahmadi, Elaheh
Keller, Stacia
Guidry, Matthew
De Santi, Carlo
Meneghini, Matteo
Pokaż więcej
Temat :
IMPACT ionization
THRESHOLD voltage
TEMPERATURE
ELECTRON impact ionization
Źródło :
IEEE Electron Device Letters; Mar2020, Vol. 41 Issue 3, p345-348, 4p
Czasopismo naukowe
Tytuł :
Impact of Substrate Resistivity on the Vertical Leakage, Breakdown, and Trapping in GaN-on-Si E-Mode HEMTs.
Autorzy :
Borga, Matteo
Meneghini, Matteo
Stoffels, Steve
Li, Xiangdong
Posthuma, Niels
Van Hove, Marleen
Decoutere, Stefaan
Meneghesso, Gaudenzio
Zanoni, Enrico
Pokaż więcej
Temat :
GALLIUM nitride
MODULATION-doped field-effect transistors
SILICON compounds
ELECTRIC potential measurement
Źródło :
IEEE Transactions on Electron Devices; Jul2018, Vol. 65 Issue 7, p2765-2770, 6p
Czasopismo naukowe
Tytuł :
Observation of Hot Electron and Impact Ionization in N-Polar GaN MIS-HEMTs.
Autorzy :
Bisi, Davide
De Santi, Carlo
Meneghini, Matteo
Wienecke, Steven
Guidry, Matt
Li, Haoran
Ahmadi, Elaheh
Keller, Stacia
Mishra, Umesh K.
Meneghesso, Gaudenzio
Zanoni, Enrico
Pokaż więcej
Temat :
HOT carriers
IMPACT ionization
MODULATION-doped field-effect transistors
Źródło :
IEEE Electron Device Letters; Jul2018, Vol. 39 Issue 7, p1007-1010, 4p
Czasopismo naukowe
Tytuł :
Evidence of Time-Dependent Vertical Breakdown in GaN-on-Si HEMTs.
Autorzy :
Borga, Matteo
Meneghini, Matteo
Rossetto, Isabella
Meneghesso, Gaudenzio
Zanoni, Enrico
Stoffels, Steve
Posthuma, Niels
Van Hove, Marleen
Marcon, Denis
Decoutere, Stefaan
Pokaż więcej
Temat :
MODULATION-doped field-effect transistors
WEIBULL distribution
POWER transistors
MICROSCOPY
ELECTRIC fields
Źródło :
IEEE Transactions on Electron Devices; Sep2017, Vol. 64 Issue 9, p3616-3621, 6p
Czasopismo naukowe
Tytuł :
Secondary Electroluminescence of GaN-on-Si RF HEMTs: Demonstration and Physical Origin.
Autorzy :
Meneghini, Matteo
Barbato, Alessandro
Rossetto, Isabella
Favaron, Andrea
Silvestri, Marco
Lavanga, Simone
Sun, Haifeng
Brech, Helmut
Meneghesso, Gaudenzio
Zanoni, Enrico
Pokaż więcej
Temat :
ELECTROLUMINESCENCE
GALLIUM nitride
MODULATION-doped field-effect transistors
RADIO frequency
THERMAL analysis
Źródło :
IEEE Transactions on Electron Devices; Mar2017, Vol. 64 Issue 3, p1032-1037, 6p
Czasopismo naukowe
Tytuł :
Hot-Electron Degradation of AlGaN/GaN High-Electron Mobility Transistors During RF Operation: Correlation With GaN Buffer Design.
Autorzy :
Bisi, Davide
Chini, Alessandro
Soci, Fabio
Stocco, Antonio
Meneghini, Matteo
Pantellini, Alessio
Nanni, Antonio
Lanzieri, Claudio
Gamarra, Piero
Lacam, Cedric
Tordjman, Maurice
di-Forte-Poisson, Marie-Antoinette
Meneghesso, Gaudenzio
Zanoni, Enrico
Pokaż więcej
Temat :
ELECTRON mobility
ELECTRIC field strength
RADIO frequency
ELECTRIC conductivity
HEAT storage
Źródło :
IEEE Electron Device Letters; Oct2015, Vol. 36 Issue 10, p1011-1014, 4p
Czasopismo naukowe
Tytuł :
Extensive Investigation of Time-Dependent Breakdown of GaN-HEMTs Submitted to OFF-State Stress.
Autorzy :
Meneghini, Matteo
Rossetto, Isabella
Hurkx, Fred
Sonsky, Jan
Croon, Jeroen A.
Meneghesso, Gaudenzio
Zanoni, Enrico
Pokaż więcej
Temat :
MODULATION-doped field-effect transistors
FIELD-effect transistors
RELIABILITY in engineering
ELECTRIC potential
DIELECTRICS
Źródło :
IEEE Transactions on Electron Devices; Aug2015, Vol. 62 Issue 8, p2549-2554, 6p
Czasopismo naukowe
Tytuł :
Temperature-Dependent Dynamic R\mathrm {\mathrm{{\scriptstyle ON}}} in GaN-Based MIS-HEMTs: Role of Surface Traps and Buffer Leakage.
Autorzy :
Meneghini, Matteo
Vanmeerbeek, Piet
Silvestri, Riccardo
Dalcanale, Stefano
Banerjee, Abhishek
Bisi, Davide
Zanoni, Enrico
Meneghesso, Gaudenzio
Moens, Peter
Pokaż więcej
Temat :
TRANSISTORS testing
ELECTRIC properties of gallium nitride
MODULATION-doped field-effect transistors
LEAKAGE inductance
ELECTRON traps
LOGIC circuits
SURFACE preparation
Źródło :
IEEE Transactions on Electron Devices; Mar2015, Vol. 62 Issue 3, p782-787, 6p
Czasopismo naukowe

Ta witryna wykorzystuje pliki cookies do przechowywania informacji na Twoim komputerze. Pliki cookies stosujemy w celu świadczenia usług na najwyższym poziomie, w tym w sposób dostosowany do indywidualnych potrzeb. Korzystanie z witryny bez zmiany ustawień dotyczących cookies oznacza, że będą one zamieszczane w Twoim komputerze. W każdym momencie możesz dokonać zmiany ustawień dotyczących cookies