Informacja

Drogi użytkowniku, aplikacja do prawidłowego działania wymaga obsługi JavaScript. Proszę włącz obsługę JavaScript w Twojej przeglądarce.

Przeglądasz jako GOŚĆ

Wyszukujesz frazę ""Meneghesso, Gaudenzio"" wg kryterium: Autor


Tytuł :
“Hole Redistribution” Model Explaining the Thermally Activated RON Stress/Recovery Transients in Carbon-Doped AlGaN/GaN Power MIS-HEMTs.
Autorzy :
Zagni, Nicolo
Chini, Alessandro
Puglisi, Francesco Maria
Meneghini, Matteo
Meneghesso, Gaudenzio
Zanoni, Enrico
Pavan, Paolo
Verzellesi, Giovanni
Pokaż więcej
Temat :
MODULATION-doped field-effect transistors
DOPING agents (Chemistry)
ALUMINUM gallium nitride
VALENCE bands
Źródło :
IEEE Transactions on Electron Devices; Feb2021, Vol. 68 Issue 2, p697-703, 7p
Czasopismo naukowe
Tytuł :
Understanding the effects of off-state and hard-switching stress in gallium nitride-based power transistors.
Autorzy :
Modolo, Nicola
De Santi, Carlo
Minetto, Andrea
Sayadi, Luca
Sicre, Sebastien
Prechtl, Gerhard
Meneghesso, Gaudenzio
Zanoni, Enrico
Meneghini, Matteo
Pokaż więcej
Temat :
POWER transistors
MODULATION-doped field-effect transistors
GALLIUM
GALLIUM nitride
Źródło :
Semiconductor Science & Technology; Jan2021, Vol. 36 Issue 1, p1-10, 10p
Czasopismo naukowe
Tytuł :
Geometric Modeling of Thermal Resistance in GaN HEMTs on Silicon.
Autorzy :
Gonzalez, Benito
De Santi, Carlo
Rampazzo, Fabiana
Meneghini, Matteo
Nunez, Antonio
Zanoni, Enrico
Meneghesso, Gaudenzio
Pokaż więcej
Temat :
THERMAL resistance
GENERATIVE adversarial networks
MODULATION-doped field-effect transistors
PULSE measurement
SILICON
GALLIUM nitride
GEOMETRIC modeling
METAL oxide semiconductor field-effect transistors
Źródło :
IEEE Transactions on Electron Devices; Dec2020, Vol. 67 Issue 12, p5408-5414, 7p
Czasopismo naukowe
Tytuł :
Demonstration of UV-Induced Threshold Voltage Instabilities in Vertical GaN Nanowire Array-Based Transistors.
Autorzy :
Ruzzarin, Maria
Meneghini, Matteo
de Santi, Carlo
Neviani, Andrea
Yu, Feng
Strempel, Klaas
Fatahilah, Muhammad Fahlesa
Witzigmann, Bernd
Wasisto, Hutomo Suryo
Waag, Andreas
Meneghesso, Gaudenzio
Zanoni, Enrico
Pokaż więcej
Temat :
THRESHOLD voltage
GALLIUM nitride
TRANSISTORS
MODULATION-doped field-effect transistors
ELECTRON traps
METALLIC oxides
CHARGE exchange
Źródło :
IEEE Transactions on Electron Devices; May2019, Vol. 66 Issue 5, p2119-2124, 6p
Czasopismo naukowe
Tytuł :
Gate Reliability of p-GaN Gate AlGaN/GaN High Electron Mobility Transistors.
Autorzy :
Ge, Mei
Ruzzarin, Maria
Chen, Dunjun
Lu, Hai
Yu, Xinxin
Zhou, Jianjun
De Santi, Carlo
Zhang, Rong
Zheng, Youdou
Meneghini, Matteo
Meneghesso, Gaudenzio
Zanoni, Enrico
Pokaż więcej
Temat :
MODULATION-doped field-effect transistors
GALLIUM nitride
ALUMINUM gallium nitride
LOGIC circuits
ELECTROLUMINESCENCE
Źródło :
IEEE Electron Device Letters; Mar2019, Vol. 40 Issue 3, p379-382, 4p
Czasopismo naukowe
Tytuł :
Gate Conduction Mechanisms and Lifetime Modeling of p-Gate AlGaN/GaN High-Electron-Mobility Transistors.
Autorzy :
Stockman, Arno
Masin, Fabrizio
Meneghini, Matteo
Zanoni, Enrico
Meneghesso, Gaudenzio
Bakeroot, Benoit
Moens, Peter
Pokaż więcej
Temat :
MODULATION-doped field-effect transistors
GALLIUM nitride
POOLE-Frenkel effect
SUPERCONDUCTIVE tunnelling
SCHOTTKY effect
Źródło :
IEEE Transactions on Electron Devices; Dec2018, Vol. 65 Issue 12, p5365-5372, 8p
Czasopismo naukowe
Tytuł :
Impact of Substrate Resistivity on the Vertical Leakage, Breakdown, and Trapping in GaN-on-Si E-Mode HEMTs.
Autorzy :
Borga, Matteo
Meneghini, Matteo
Stoffels, Steve
Li, Xiangdong
Posthuma, Niels
Van Hove, Marleen
Decoutere, Stefaan
Meneghesso, Gaudenzio
Zanoni, Enrico
Pokaż więcej
Temat :
GALLIUM nitride
MODULATION-doped field-effect transistors
SILICON compounds
ELECTRIC potential measurement
Źródło :
IEEE Transactions on Electron Devices; Jul2018, Vol. 65 Issue 7, p2765-2770, 6p
Czasopismo naukowe
Tytuł :
Observation of Hot Electron and Impact Ionization in N-Polar GaN MIS-HEMTs.
Autorzy :
Bisi, Davide
De Santi, Carlo
Meneghini, Matteo
Wienecke, Steven
Guidry, Matt
Li, Haoran
Ahmadi, Elaheh
Keller, Stacia
Mishra, Umesh K.
Meneghesso, Gaudenzio
Zanoni, Enrico
Pokaż więcej
Temat :
HOT carriers
IMPACT ionization
MODULATION-doped field-effect transistors
Źródło :
IEEE Electron Device Letters; Jul2018, Vol. 39 Issue 7, p1007-1010, 4p
Czasopismo naukowe
Tytuł :
Evidence of Time-Dependent Vertical Breakdown in GaN-on-Si HEMTs.
Autorzy :
Borga, Matteo
Meneghini, Matteo
Rossetto, Isabella
Meneghesso, Gaudenzio
Zanoni, Enrico
Stoffels, Steve
Posthuma, Niels
Van Hove, Marleen
Marcon, Denis
Decoutere, Stefaan
Pokaż więcej
Temat :
MODULATION-doped field-effect transistors
WEIBULL distribution
POWER transistors
MICROSCOPY
ELECTRIC fields
Źródło :
IEEE Transactions on Electron Devices; Sep2017, Vol. 64 Issue 9, p3616-3621, 6p
Czasopismo naukowe
Tytuł :
Secondary Electroluminescence of GaN-on-Si RF HEMTs: Demonstration and Physical Origin.
Autorzy :
Meneghini, Matteo
Barbato, Alessandro
Rossetto, Isabella
Favaron, Andrea
Silvestri, Marco
Lavanga, Simone
Sun, Haifeng
Brech, Helmut
Meneghesso, Gaudenzio
Zanoni, Enrico
Pokaż więcej
Temat :
ELECTROLUMINESCENCE
GALLIUM nitride
MODULATION-doped field-effect transistors
RADIO frequency
THERMAL analysis
Źródło :
IEEE Transactions on Electron Devices; Mar2017, Vol. 64 Issue 3, p1032-1037, 6p
Czasopismo naukowe
Tytuł :
Experimental and Numerical Analysis of Hole Emission Process From Carbon-Related Traps in GaN Buffer Layers.
Autorzy :
Chini, Alessandro
Meneghesso, Gaudenzio
Meneghini, Matteo
Fantini, Fausto
Verzellesi, Giovanni
Patti, Alfonso
Iucolano, Ferdinando
Pokaż więcej
Temat :
NUMERICAL analysis
GALLIUM nitride
BUFFER layers
MODULATION-doped field-effect transistors
ELECTRON traps
Źródło :
IEEE Transactions on Electron Devices; Sep2016, Vol. 63 Issue 9, p3473-3478, 6p
Czasopismo naukowe
Tytuł :
Time-Dependent Failure of GaN-on-Si Power HEMTs With p-GaN Gate.
Autorzy :
Rossetto, Isabella
Meneghini, Matteo
Hilt, Oliver
Bahat-Treidel, Eldad
De Santi, Carlo
Dalcanale, Stefano
Wuerfl, Joachim
Zanoni, Enrico
Meneghesso, Gaudenzio
Pokaż więcej
Temat :
MODULATION-doped field-effect transistors
ELECTRIC properties of gallium nitride
LOGIC circuits
ELECTRIC potential
ELECTRIC leakage
Źródło :
IEEE Transactions on Electron Devices; Jun2016, Vol. 63 Issue 6, p2334-2339, 6p
Czasopismo naukowe
Tytuł :
Negative Bias-Induced Threshold Voltage Instability in GaN-on-Si Power HEMTs.
Autorzy :
Meneghini, Matteo
Rossetto, Isabella
Bisi, Davide
Ruzzarin, Maria
Van Hove, Marleen
Stoffels, Steve
Wu, Tian-Li
Marcon, Denis
Decoutere, Stefaan
Meneghesso, Gaudenzio
Zanoni, Enrico
Pokaż więcej
Temat :
THRESHOLD voltage
GALLIUM nitride
MODULATION-doped field-effect transistors
ELECTRIC potential measurement
LOGIC circuits
TEMPERATURE measurements
Źródło :
IEEE Electron Device Letters; Apr2016, Vol. 37 Issue 4, p474-477, 4p
Czasopismo naukowe
Tytuł :
Demonstration of Field- and Power-Dependent ESD Failure in AlGaN/GaN RF HEMTs.
Autorzy :
Rossetto, Isabella
Meneghini, Matteo
Barbato, Marco
Rampazzo, Fabiana
Marcon, Denis
Meneghesso, Gaudenzio
Zanoni, Enrico
Pokaż więcej
Temat :
MODULATION-doped field-effect transistors
ELECTROSTATIC discharges
GALLIUM nitride
SCANNING electron microscopy
ELECTRON mobility
Źródło :
IEEE Transactions on Electron Devices; Sep2015, Vol. 62 Issue 9, p2830-2836, 7p
Czasopismo naukowe
Tytuł :
Extensive Investigation of Time-Dependent Breakdown of GaN-HEMTs Submitted to OFF-State Stress.
Autorzy :
Meneghini, Matteo
Rossetto, Isabella
Hurkx, Fred
Sonsky, Jan
Croon, Jeroen A.
Meneghesso, Gaudenzio
Zanoni, Enrico
Pokaż więcej
Temat :
MODULATION-doped field-effect transistors
FIELD-effect transistors
RELIABILITY in engineering
ELECTRIC potential
DIELECTRICS
Źródło :
IEEE Transactions on Electron Devices; Aug2015, Vol. 62 Issue 8, p2549-2554, 6p
Czasopismo naukowe
Tytuł :
Evidence of Hot-Electron Degradation in GaN-Based MIS-HEMTs Submitted to High Temperature Constant Source Current Stress.
Autorzy :
Ruzzarin, Maria
Meneghini, Matteo
Rossetto, Isabella
Van Hove, Marleen
Stoffels, Steve
Wu, Tian-Li
Decoutere, Stefaan
Meneghesso, Gaudenzio
Zanoni, Enrico
Pokaż więcej
Temat :
GALLIUM nitride
MODULATION-doped field-effect transistors
TRANSISTORS testing
METAL-insulator-semiconductor devices
BIPOLAR transistors
POWER electronics
PHYSIOLOGICAL stress
THRESHOLD voltage
Źródło :
IEEE Electron Device Letters; Nov2016, Vol. 37 Issue 11, p1415-1417, 3p
Czasopismo naukowe
Tytuł :
Temperature-Dependent Dynamic R\mathrm {\mathrm{{\scriptstyle ON}}} in GaN-Based MIS-HEMTs: Role of Surface Traps and Buffer Leakage.
Autorzy :
Meneghini, Matteo
Vanmeerbeek, Piet
Silvestri, Riccardo
Dalcanale, Stefano
Banerjee, Abhishek
Bisi, Davide
Zanoni, Enrico
Meneghesso, Gaudenzio
Moens, Peter
Pokaż więcej
Temat :
TRANSISTORS testing
ELECTRIC properties of gallium nitride
MODULATION-doped field-effect transistors
LEAKAGE inductance
ELECTRON traps
LOGIC circuits
SURFACE preparation
Źródło :
IEEE Transactions on Electron Devices; Mar2015, Vol. 62 Issue 3, p782-787, 6p
Czasopismo naukowe
Tytuł :
Buffer Traps in Fe-Doped AlGaN/GaN HEMTs: Investigation of the Physical Properties Based on Pulsed and Transient Measurements.
Autorzy :
Meneghini, Matteo
Rossetto, Isabella
Bisi, Davide
Stocco, Antonio
Chini, Alessandro
Pantellini, Alessio
Lanzieri, Claudio
Nanni, Antonio
Meneghesso, Gaudenzio
Zanoni, Enrico
Pokaż więcej
Temat :
MODULATION-doped field-effect transistors
ALUMINUM gallium nitride
ACTIVATION energy
ELECTRIC transients
SWITCHING circuits
Źródło :
IEEE Transactions on Electron Devices; Dec2014, Vol. 61 Issue 12, p4070-4077, 8p
Czasopismo naukowe

Ta witryna wykorzystuje pliki cookies do przechowywania informacji na Twoim komputerze. Pliki cookies stosujemy w celu świadczenia usług na najwyższym poziomie, w tym w sposób dostosowany do indywidualnych potrzeb. Korzystanie z witryny bez zmiany ustawień dotyczących cookies oznacza, że będą one zamieszczane w Twoim komputerze. W każdym momencie możesz dokonać zmiany ustawień dotyczących cookies