Informacja

Drogi użytkowniku, aplikacja do prawidłowego działania wymaga obsługi JavaScript. Proszę włącz obsługę JavaScript w Twojej przeglądarce.

English (EN)·Polski (PL)·Ukraiński (UK)
Przejdź do strony domowej biblioteki Uniwersytet Ekonomiczny we Wrocławiu Link otwiera się w nowym oknie Logo biblioteki Prolib Integro - strona głównaUniwersytet Ekonomiczny we Wrocławiu

Wyszukujesz frazę ""Meneghesso, Gaudenzio"" wg kryterium: Autor

  Lista filtrów
Wyrównaj
    Wyświetlanie 1-17 z 17
    Tytuł:
    Understanding the Leakage Mechanisms and Breakdown Limits of Vertical GaN-on-Si p + n − n Diodes: The Road to Reliable Vertical MOSFETs.
    Autorzy:
    Mukherjee, Kalparupa
    De Santi, Carlo
    Buffolo, Matteo
    Borga, Matteo
    You, Shuzhen
    Geens, Karen
    Bakeroot, Benoit
    Decoutere, Stefaan
    Gerosa, Andrea
    Meneghesso, Gaudenzio
    Zanoni, Enrico
    Meneghini, Matteo
    Pokaż więcej
    Temat:
    BREAKDOWN voltage
    METAL oxide semiconductor field-effect transistors
    DIODES
    LEAKAGE
    GALLIUM nitride
    ELECTRIC fields
    Źródło:
    Micromachines; Apr2021, Vol. 12 Issue 4, p445-445, 1p
    Czasopismo naukowe
    Szczegóły
    Tytuł:
    Lateral GaN HEMT Structures
    Autorzy:
    Suh, Chang Soo
    Pokaż więcej
    Źródło:
    Gallium Nitride-enabled High Frequency and High Efficiency Power Conversion. :29-49
    Książka elektroniczna
    Szczegóły
      Wyświetlanie 1-17 z 17

      Ta witryna wykorzystuje pliki cookies do przechowywania informacji na Twoim komputerze. Pliki cookies stosujemy w celu świadczenia usług na najwyższym poziomie, w tym w sposób dostosowany do indywidualnych potrzeb. Korzystanie z witryny bez zmiany ustawień dotyczących cookies oznacza, że będą one zamieszczane w Twoim komputerze. W każdym momencie możesz dokonać zmiany ustawień dotyczących cookies