Informacja

Drogi użytkowniku, aplikacja do prawidłowego działania wymaga obsługi JavaScript. Proszę włącz obsługę JavaScript w Twojej przeglądarce.

Wyszukujesz frazę ""Meneghesso, Gaudenzio"" wg kryterium: Autor


Tytuł:
Scaling of E-mode power GaN-HEMTs for low voltage/low Ron applications: Implications on robustness.
Autorzy:
Benato, Andrea (AUTHOR)
De Santi, Carlo (AUTHOR)
Borga, Matteo (AUTHOR)
Bakeroot, Benoit (AUTHOR)
Filipek, Izabela Kuzma (AUTHOR)
Posthuma, Niels (AUTHOR)
Decoutere, Stefaan (AUTHOR)
Meneghesso, Gaudenzio (AUTHOR)
Zanoni, Enrico (AUTHOR)
Meneghini, Matteo (AUTHOR)
Pokaż więcej
Źródło:
Microelectronics Reliability. Nov2023, Vol. 150, pN.PAG-N.PAG. 1p.
Czasopismo naukowe
Tytuł:
Role of p-GaN layer thickness in the degradation of InGaN-GaN MQW solar cells under 405 nm laser excitation.
Autorzy:
Nicoletto, Marco (AUTHOR)
Caria, Alessandro (AUTHOR)
De Santi, Carlo (AUTHOR)
Buffolo, Matteo (AUTHOR)
Huang, Xuanqi (AUTHOR)
Fu, Houqiang (AUTHOR)
Chen, Hong (AUTHOR)
Zhao, Yuji (AUTHOR)
Meneghesso, Gaudenzio (AUTHOR)
Zanoni, Enrico (AUTHOR)
Meneghini, Matteo (AUTHOR)
Pokaż więcej
Źródło:
Microelectronics Reliability. Nov2022, Vol. 138, pN.PAG-N.PAG. 1p.
Czasopismo naukowe

Ta witryna wykorzystuje pliki cookies do przechowywania informacji na Twoim komputerze. Pliki cookies stosujemy w celu świadczenia usług na najwyższym poziomie, w tym w sposób dostosowany do indywidualnych potrzeb. Korzystanie z witryny bez zmiany ustawień dotyczących cookies oznacza, że będą one zamieszczane w Twoim komputerze. W każdym momencie możesz dokonać zmiany ustawień dotyczących cookies