- Tytuł:
- Trapping and reliability issues in GaN-based MIS HEMTs with partially recessed gate.
- Autorzy:
- Źródło:
- Microelectronics Reliability. Mar2016, Vol. 58, p151-157. 7p.
Czasopismo naukowe
Drogi użytkowniku, aplikacja do prawidłowego działania wymaga obsługi JavaScript. Proszę włącz obsługę JavaScript w Twojej przeglądarce.