Autor: "Meyer, W. E." - OpacWWW

Drogi użytkowniku, aplikacja do prawidłowego działania wymaga obsługi JavaScript. Proszę włącz obsługę JavaScript w Twojej przeglądarce.

Wyszukujesz frazę ""Meyer, W. E."" wg kryterium: Autor

Wyświetlanie 1-20 z 148

Zaznacz stronę

Skocz do pozycji: 1 1.

Tytuł :: Electronic properties and defect levels induced by group III substitution–interstitial complexes in Ge
Autorzy :: Igumbor, E.
Dongho-Nguimdo, G. M.
Mapasha, R. E.
Meyer, W. E.; Pokaż więcej
Źródło :: Journal of Materials Science. 54(15):10798-10808
: Czasopismo naukowe

Szczegóły Pełny tekst Pełny tekst

Skocz do pozycji: 2 2.

Informacja :: Dostęp do tej pozycji wymaga zalogowania się.
: Czasopismo naukowe

Szczegóły

Skocz do pozycji: 3 3.

Tytuł :: Ab␣Initio Study of Aluminium Impurity and Interstitial-Substitutional Complexes in Ge Using a Hybrid Functional (HSE)
Autorzy :: Igumbor, E.
Mapasha, R. E.
Meyer, W. E.; Pokaż więcej
Źródło :: Journal of Electronic Materials. July 2017 46(7):3880-3887
: Czasopismo naukowe

Szczegóły

Skocz do pozycji: 4 4.

Tytuł :: Rare Earth Interstitials in Ge: A Hybrid Density Functional Theory Study
Autorzy :: Igumbor, E.
Andrew, R. C.
Meyer, W. E.; Pokaż więcej
Źródło :: Journal of Electronic Materials. February 2017 46(2):1022-1029
: Czasopismo naukowe

Szczegóły

Skocz do pozycji: 5 5.

Tytuł :: Electrical Characterization of High Energy Electron Irradiated Ni/4H-SiC Schottky Barrier Diodes
Autorzy :: Paradzah, A. T.
Omotoso, E.
Legodi, M. J.
Auret, F. D.
Meyer, W. E.
Diale, M.; Pokaż więcej
Źródło :: Journal of Electronic Materials. August 2016 45(8):4177-4182
: Czasopismo naukowe

Szczegóły

Skocz do pozycji: 6 6.

Tytuł :: The influence of thermal annealing on the characteristics of Au/Ni Schottky contacts on n-type 4H-SiC
Autorzy :: Omotoso, E.Aff1, Aff2
Auret, F. D.
Igumbor, E.
Tunhuma, S. M.
Danga, H. T.
Ngoepe, P. N. M.
Taleatu, B. A.
Meyer, W. E.; Pokaż więcej
Źródło :: Applied Physics A: Materials Science & Processing. 124(5)
: Czasopismo naukowe

Szczegóły Pełny tekst Pełny tekst

Skocz do pozycji: 7 7.

Informacja :: Dostęp do tej pozycji wymaga zalogowania się.
: Czasopismo naukowe

Szczegóły

Skocz do pozycji: 8 8.

Informacja :: Dostęp do tej pozycji wymaga zalogowania się.
: Czasopismo naukowe

Szczegóły

Skocz do pozycji: 9 9.

Informacja :: Dostęp do tej pozycji wymaga zalogowania się.
: Czasopismo naukowe

Szczegóły

Skocz do pozycji: 10 10.

Informacja :: Dostęp do tej pozycji wymaga zalogowania się.
: Czasopismo naukowe

Szczegóły

Skocz do pozycji: 11 11.

Tytuł :: Determination of capture barrier energy of the E-center in palladium Schottky barrier diodes of antimony-doped germanium by varying the pulse width.
Autorzy :: Omotoso, E
Paradzah, A T
Igumbor, E
Taleatu, B A
Meyer, W E
Auret, F D; Pokaż więcej
Źródło :: Materials Research Express; Feb2020, Vol. 7 Issue 2, p1-7, 7p
: Czasopismo naukowe

Szczegóły

Skocz do pozycji: 12 12.

Informacja :: Dostęp do tej pozycji wymaga zalogowania się.
: Czasopismo naukowe

Szczegóły

Skocz do pozycji: 13 13.

Informacja :: Dostęp do tej pozycji wymaga zalogowania się.
: Czasopismo naukowe

Szczegóły

Skocz do pozycji: 14 14.

Tytuł :: Electrical Characterization of Electron Beam Exposure Induced Defects in Epitaxially Grown n-type Silicon.
Autorzy :: Danga, H. T.
Auret, F. D.
Tunhuma, S. M.
Omotoso, E.
Igumbor, E.
Meyer, W. E.; Pokaż więcej
Temat :: ELECTRON beams
ELECTRON beam deposition
SILICON
Źródło :: AIP Conference Proceedings; 2019, Vol. 2109 Issue 1, p080003-1-080003-4, 4p, 2 Graphs
: Konferencja

Szczegóły

Skocz do pozycji: 15 15.

Informacja :: Dostęp do tej pozycji wymaga zalogowania się.
: Czasopismo naukowe

Szczegóły

Skocz do pozycji: 16 16.

Informacja :: Dostęp do tej pozycji wymaga zalogowania się.
: Czasopismo naukowe

Szczegóły

Skocz do pozycji: 17 17.

Informacja :: Dostęp do tej pozycji wymaga zalogowania się.
: Czasopismo naukowe

Szczegóły

Skocz do pozycji: 18 18.

Informacja :: Dostęp do tej pozycji wymaga zalogowania się.
: Czasopismo naukowe

Szczegóły

Skocz do pozycji: 19 19.

Tytuł :: Processing of and electrical properties of ZnO thin films and nanorods for sensor applications.
Autorzy :: Nel, J. M.
Ahmed, M. E. I.
Ahmed, M. A. M.
Meyer, W. E.; Pokaż więcej
Źródło :: Proceedings of SPIE; 4/16/2019, Vol. 11043, p1-7, 7p
: Konferencja

Szczegóły

Skocz do pozycji: 20 20.

Informacja :: Dostęp do tej pozycji wymaga zalogowania się.
: Czasopismo naukowe

Szczegóły

Wyświetlanie 1-20 z 148

Ta witryna wykorzystuje pliki cookies do przechowywania informacji na Twoim komputerze. Pliki cookies stosujemy w celu świadczenia usług na najwyższym poziomie, w tym w sposób dostosowany do indywidualnych potrzeb. Korzystanie z witryny bez zmiany ustawień dotyczących cookies oznacza, że będą one zamieszczane w Twoim komputerze. W każdym momencie możesz dokonać zmiany ustawień dotyczących cookies

Informacja

Prolib Integro - strona głównaUniwersytet Ekonomiczny we Wrocławiu

Wyszukujesz frazę ""Meyer, W. E."" wg kryterium: Autor

Źródło danych

Ogranicz do:

Ogranicz do bazy

Typ dokumentu

Temat

Wydawca

Publikacja

Język