Autor: "Mi, Minhan" - OpacWWW

Skocz do pozycji: 1.

Tytuł:: A novel multi-threshold coupling InAlN/GaN double-channel HEMT for improving transconductance flatness
Autorzy:: An, Sirui
Mi, MinhanAff1, IDs1143202237209_cor2
Wang, Pengfei
Liu, Sijia
Zhu, Qing
Zhang, Meng
Chen, Zhihong
Liu, Jielong
Guo, Siyin
Gong, Can
Ma, Xiaohua
Hao, Yue; Pokaż więcej
Źródło:: Science China Information Sciences. 67(1)

Czasopismo naukowe

na półce

Szczegóły

Skocz do pozycji: 2.

Tytuł:: A review of GaN RF devices and power amplifiers for 5G communication applications
Autorzy:: Lu, Hao
Zhang, Meng
Yang, Ling
Hou, Bin
Martinez, Rafael Perez
Mi, Minhan
Du, Jiale
Deng, Longge
Wu, Mei
Chowdhury, Srabanti
Ma, Xiaohua
Hao, Yue; Pokaż więcej
Źródło:: In Fundamental Research November 2023

Czasopismo naukowe

na półce

Szczegóły

Skocz do pozycji: 3.

Tytuł:: Degradation induced by holes in Si3N4/AlGaN/GaN MIS HEMTs under off-state stress with UV light
Autorzy:: Chen, Yilin
Zhu, QingAff2, Aff3
Zhu, JiejieAff2, Aff3
Mi, MinhanAff2, Aff3, Aff4
Zhang, MengAff2, Aff3
Zhou, Yuwei
Zhao, Ziyue
Ma, XiaohuaAff2, Aff3, IDs1143202133772_cor8
Hao, YueAff2, Aff3; Pokaż więcej
Źródło:: Science China Information Sciences. 66(2)

Czasopismo naukowe

na półce

Szczegóły

Skocz do pozycji: 4.

Informacja:: Dostęp do tej pozycji wymaga zalogowania się.

Czasopismo naukowe

na półce

Szczegóły

Skocz do pozycji: 5.

Tytuł:: Improved transport properties and mechanism in recessed-gate InAlN/GaN HEMTs using a self-limited surface restoration method
Autorzy:: Liu, Siyu
Ma, Xiaohua
Zhu, JiejieAff1, IDs114320213359y_cor3
Mi, Minhan
Guo, Jingshu
Liu, Jielong
Chen, Yilin
Zhu, Qing
Yang, Ling
Hao, Yue; Pokaż więcej
Źródło:: Science China Information Sciences. 65(10)

Czasopismo naukowe

na półce

Szczegóły

Skocz do pozycji: 6.

Informacja:: Dostęp do tej pozycji wymaga zalogowania się.

Czasopismo naukowe

na półce

Szczegóły

Skocz do pozycji: 7.

Informacja:: Dostęp do tej pozycji wymaga zalogowania się.

Czasopismo naukowe

na półce

Szczegóły

Skocz do pozycji: 8.

Tytuł:: Degradation induced by holes in Si3N4/AlGaN/GaN MIS HEMTs under off-state stress with UV light.
Autorzy:: Chen, Yilin
Zhu, Qing
Zhu, Jiejie
Mi, Minhan
Zhang, Meng
Zhou, Yuwei
Zhao, Ziyue
Ma, Xiaohua
Hao, Yue; Pokaż więcej
Źródło:: SCIENCE CHINA Information Sciences; Feb2023, Vol. 66 Issue 2, p1-7, 7p

Czasopismo naukowe

na półce

Szczegóły

Skocz do pozycji: 9.

Tytuł:: A systematic study of device structure on DC and small‐signal characteristics of millimeter‐wave AlGaN/GaN HEMT.
Autorzy:: Mi, Minhan (AUTHOR)
Ma, Xiaohua (AUTHOR)
Yang, Ling (AUTHOR)
Zhang, Meng (AUTHOR)
Wu, Sheng (AUTHOR)
Hao, Yue (AUTHOR); Pokaż więcej
Źródło:: International Journal of Numerical Modelling. May/Jun2020, Vol. 33 Issue 3, p1-11. 11p.

Czasopismo naukowe

na półce

Pełny tekst Pełny tekst Szczegóły

Skocz do pozycji: 10.

Informacja:: Dostęp do tej pozycji wymaga zalogowania się.

Czasopismo naukowe

na półce

Szczegóły

Skocz do pozycji: 11.

Informacja:: Dostęp do tej pozycji wymaga zalogowania się.

Czasopismo naukowe

na półce

Pełny tekst Pełny tekst Szczegóły

Skocz do pozycji: 12.

Informacja:: Dostęp do tej pozycji wymaga zalogowania się.

Czasopismo naukowe

na półce

Szczegóły

Skocz do pozycji: 13.

Informacja:: Dostęp do tej pozycji wymaga zalogowania się.

Czasopismo naukowe

na półce

Szczegóły

Skocz do pozycji: 14.

Informacja:: Dostęp do tej pozycji wymaga zalogowania się.

Czasopismo naukowe

na półce

Szczegóły

Skocz do pozycji: 15.

Informacja:: Dostęp do tej pozycji wymaga zalogowania się.

Czasopismo naukowe

na półce

Szczegóły

Skocz do pozycji: 16.

Tytuł:: Enhancement-mode AlGaN/GaN HEMTs with thin and high Al composition barrier layers using O2 plasma implantation.
Autorzy:: Zhang, Kai
Chen, Xing
Mi, Minhan
Zhao, Shenglei
Chen, Yonghe
Zhang, Jincheng
Ma, Xiaohua
Hao, Yue; Pokaż więcej
Temat:: TRANSISTORS
ALUMINUM compounds
OXIDES
SEMICONDUCTORS
VOLTAGE to frequency converters
Źródło:: Physica Status Solidi. A: Applications & Materials Science; May2015, Vol. 212 Issue 5, p1081-1085, 5p

Czasopismo naukowe

na półce

Szczegóły

Skocz do pozycji: 17.

Tytuł:: Enhancement‐mode AlGaN/GaN HEMTs with thin and high Al composition barrier layers using O2plasma implantation
Autorzy:: Zhang, Kai
Chen, Xing
Mi, Minhan
Zhao, Shenglei
Chen, Yonghe
Zhang, Jincheng
Ma, Xiaohua
Hao, Yue; Pokaż więcej
Źródło:: Physica Status Solidi (A) - Applications and Materials Science; May 2015, Vol. 212 Issue: 5 p1081-1085, 5p

Periodyk

na półce

Szczegóły

Informacja

Wyszukujesz frazę ""Mi, Minhan"" wg kryterium: Autor

Źródło danych

Ogranicz do:

Ogranicz do bazy

Typ dokumentu

Temat

Wydawca

Publikacja

Język

Rok publikacji