- Tytuł :
- Characterization of plasma etching damage on p-type GaN using Schottky diodes.
- Autorzy :
- Temat :
-
DEEP level transient spectroscopy
SPECTRUM analysis
DIODES
NITROGEN
PHYSICS - Źródło :
- Journal of Applied Physics; May2008, Vol. 103 Issue 9, p093701, 5p, 1 Chart, 9 Graphs
-
Czasopismo naukowe