Informacja

Drogi użytkowniku, aplikacja do prawidłowego działania wymaga obsługi JavaScript. Proszę włącz obsługę JavaScript w Twojej przeglądarce.

Przeglądasz jako GOŚĆ

Wyszukujesz frazę ""Mishra, U. K."" wg kryterium: Autor


Tytuł :
Electrical and structural characterizations of crystallized Al2O3/GaN interfaces formed by in situ metalorganic chemical vapor deposition.
Autorzy :
Liu, X.
Jackson, C. M.
Wu, F.
Mazumder, B.
Yeluri, R.
Kim, J.
Keller, S.
Arehart, A. R.
Ringel, S. A.
Speck, J. S.
Mishra, U. K.
Pokaż więcej
Temat :
CHEMICAL vapor deposition
ALUMINUM oxide
GALLIUM nitride
ATOMIC layer deposition
METAL oxide semiconductor capacitors
Źródło :
Journal of Applied Physics; 1/7/2016, Vol. 119 Issue 1, p015303-1-015303-7, 7p, 1 Diagram, 2 Charts, 2 Graphs
Czasopismo naukowe

Ta witryna wykorzystuje pliki cookies do przechowywania informacji na Twoim komputerze. Pliki cookies stosujemy w celu świadczenia usług na najwyższym poziomie, w tym w sposób dostosowany do indywidualnych potrzeb. Korzystanie z witryny bez zmiany ustawień dotyczących cookies oznacza, że będą one zamieszczane w Twoim komputerze. W każdym momencie możesz dokonać zmiany ustawień dotyczących cookies