- Tytuł:
- Analog/RF and Power Performance Analysis of an Underlap DG AlGaN/GaN Based High-K Dielectric MOS-HEMT
- Autorzy:
- Źródło:
- Silicon. 14(5):2211-2218
Czasopismo naukowe
Drogi użytkowniku, aplikacja do prawidłowego działania wymaga obsługi JavaScript. Proszę włącz obsługę JavaScript w Twojej przeglądarce.