Wszystkie pola: "Mitra, Rajrup" - OpacWWW - Prolib Integro

Drogi użytkowniku, aplikacja do prawidłowego działania wymaga obsługi JavaScript. Proszę włącz obsługę JavaScript w Twojej przeglądarce.

Wyszukujesz frazę ""Mitra, Rajrup"" wg kryterium: Wszystkie pola

Wyświetlanie 1-5 z 5

Zaznacz stronę

Skocz do pozycji: 1.

Podgląd okładki

Tytuł:: Analog/RF and Power Performance Analysis of an Underlap DG AlGaN/GaN Based High-K Dielectric MOS-HEMT.

Czasopismo naukowe

na półce

Szczegóły

Tytuł:: Analog/RF and Power Performance Analysis of an Underlap DG AlGaN/GaN Based High-K Dielectric MOS-HEMT.
Autorzy:: Roy, Akash
Mitra, Rajrup
Mondal, Arnab
Kundu, Atanu
Źródło:: SILICON (1876990X); Apr2022, Vol. 14 Issue 5, p2211-2218, 8p

Czasopismo naukowe

na półce

Szczegóły

Skocz do pozycji: 2.

Podgląd okładki

Tytuł:: Influence of Symmetric Underlap on Analog, RF and Power Applications for DG AlGaN/GaN MOS-HEMT.

Czasopismo naukowe

na półce

Szczegóły

Tytuł:: Influence of Symmetric Underlap on Analog, RF and Power Applications for DG AlGaN/GaN MOS-HEMT.
Autorzy:: Mitra, Rajrup
Roy, Akash
Mondal, Arnab
Kundu, Atanu
Źródło:: SILICON (1876990X); Apr2022, Vol. 14 Issue 5, p2329-2336, 8p

Czasopismo naukowe

na półce

Szczegóły

Skocz do pozycji: 3.

Podgląd okładki

Informacja:: Dostęp do tej pozycji wymaga zalogowania się.

Czasopismo naukowe

na półce

Szczegóły

Informacja:: Dostęp do tej pozycji wymaga zalogowania się.

Czasopismo naukowe

na półce

Szczegóły

Skocz do pozycji: 4.

Podgląd okładki

Informacja:: Dostęp do tej pozycji wymaga zalogowania się.

Czasopismo naukowe

na półce

Szczegóły

Informacja:: Dostęp do tej pozycji wymaga zalogowania się.

Czasopismo naukowe

na półce

Szczegóły

Skocz do pozycji: 5.

Podgląd okładki

Tytuł:: Comparative Study of Variations in Gate Oxide Material of a Novel Underlap DG MOS-HEMT for Analog/RF and High Power Applications.

Czasopismo naukowe

na półce

Szczegóły

Tytuł:: Comparative Study of Variations in Gate Oxide Material of a Novel Underlap DG MOS-HEMT for Analog/RF and High Power Applications.
Autorzy:: Mondal, Arnab
Roy, Akash
Mitra, Rajrup
Kundu, Atanu
Źródło:: SILICON (1876990X); Sep2020, Vol. 12 Issue 9, p2251-2257, 7p

Czasopismo naukowe

na półce

Szczegóły

Wyświetlanie 1-5 z 5

Ta witryna wykorzystuje pliki cookies do przechowywania informacji na Twoim komputerze. Pliki cookies stosujemy w celu świadczenia usług na najwyższym poziomie, w tym w sposób dostosowany do indywidualnych potrzeb. Korzystanie z witryny bez zmiany ustawień dotyczących cookies oznacza, że będą one zamieszczane w Twoim komputerze. W każdym momencie możesz dokonać zmiany ustawień dotyczących cookies