- Tytuł:
- Comparative Study of Variations in Gate Oxide Material of a Novel Underlap DG MOS-HEMT for Analog/RF and High Power Applications.
- Autorzy:
- Źródło:
- SILICON (1876990X); Sep2020, Vol. 12 Issue 9, p2251-2257, 7p
Czasopismo naukowe
Drogi użytkowniku, aplikacja do prawidłowego działania wymaga obsługi JavaScript. Proszę włącz obsługę JavaScript w Twojej przeglądarce.