- Tytuł:
- Comparative Study of Variations in Gate Oxide Material of a Novel Underlap DG MOS-HEMT for Analog/RF and High Power Applications
- Autorzy:
- Źródło:
- Silicon. 12(9):2251-2257
Czasopismo naukowe
Drogi użytkowniku, aplikacja do prawidłowego działania wymaga obsługi JavaScript. Proszę włącz obsługę JavaScript w Twojej przeglądarce.
Twoje opinie są dla nas bardzo ważne i mogą być niezwykle pomocne w pokazaniu nam, gdzie możemy dokonać ulepszeń. Bylibyśmy bardzo wdzięczni za poświęcenie kilku chwil na wypełnienie krótkiego formularza.
Formularz