- Tytuł :
- Analog/RF and Power Performance Analysis of an Underlap DG AlGaN/GaN Based High-K Dielectric MOS-HEMT.
- Autorzy :
- Źródło :
- SILICON (1876990X); Apr2022, Vol. 14 Issue 5, p2211-2218, 8p
-
Czasopismo naukowe
Drogi użytkowniku, aplikacja do prawidłowego działania wymaga obsługi JavaScript. Proszę włącz obsługę JavaScript w Twojej przeglądarce.