- Tytuł:
- Influence of Symmetric Underlap on Analog, RF and Power Applications for DG AlGaN/GaN MOS-HEMT
- Autorzy:
- Źródło:
- Silicon. :1-8
Czasopismo naukowe
Drogi użytkowniku, aplikacja do prawidłowego działania wymaga obsługi JavaScript. Proszę włącz obsługę JavaScript w Twojej przeglądarce.
Twoje opinie są dla nas bardzo ważne i mogą być niezwykle pomocne w pokazaniu nam, gdzie możemy dokonać ulepszeń. Bylibyśmy bardzo wdzięczni za poświęcenie kilku chwil na wypełnienie krótkiego formularza.
Formularz