- Tytuł:
- Detailed electrical characterization of 200 mm CMOS compatible GaN/Si HEMTs down to deep cryogenic temperatures
- Autorzy:
- Źródło:
- In Solid State Electronics November 2022 197
Czasopismo naukowe
Drogi użytkowniku, aplikacja do prawidłowego działania wymaga obsługi JavaScript. Proszę włącz obsługę JavaScript w Twojej przeglądarce.