- Tytuł:
- Formation of Oxygen-Containing Centers in Irradiated Silicon Crystals during Annealing in the Temperature Range of 450–700°С
- Autorzy:
- Źródło:
- Inorganic Materials: Applied Research. 11(5):1078-1082
Czasopismo naukowe
Drogi użytkowniku, aplikacja do prawidłowego działania wymaga obsługi JavaScript. Proszę włącz obsługę JavaScript w Twojej przeglądarce.