- Tytuł:
- Immunity to random fluctuations induced by interface trap variability in Si gate-all-around n-nanowire field-effect transistor devices
- Autorzy:
- Źródło:
- Journal of Computational Electronics. 20(3):1169-1177
Czasopismo naukowe
Drogi użytkowniku, aplikacja do prawidłowego działania wymaga obsługi JavaScript. Proszę włącz obsługę JavaScript w Twojej przeglądarce.