Autor: "Nechaev, D. V." - OpacWWW

Skocz do pozycji: 1 1.

Tytuł :: Structural and Dynamical Properties of Short-Period GaN/AlN Superlattices: Experiment and Theory
Autorzy :: Eliseyev, I. A.
Davydov, V. Yu.
Roginskii, E. M.
Kitaev, Yu. E.
Smirnov, A. N.
Yagovkina, M. A.
Nechaev, D. V.
Jmerik, V. N.
Smirnov, M. B.; Pokaż więcej
Źródło :: Semiconductors. 54(12):1706-1709
: Czasopismo naukowe

Szczegóły

Skocz do pozycji: 2 2.

Tytuł :: An Increase of Threading Dislocations Filtering Efficiency in Al2O3 Templates with Faceted Surface Morphology During a Growth by Molecular Beam Epitaxy
Autorzy :: Myasoedov, A. V.
Nechaev, D. V.
Ratnikov, V. V.
Kalmykov, A. E.
Sorokin, L. M.
Jmerik, V. N.; Pokaż więcej
Źródło :: Technical Physics Letters. 46(6):543-547
: Czasopismo naukowe

Szczegóły

Skocz do pozycji: 3 3.

Tytuł :: Decreasing Density of Grown-in Dislocations in AlN/c-Sapphire Templates Grown by Plasma-Activated Molecular Beam Epitaxy
Autorzy :: Ratnikov, V. V.Aff1, IDS1063785020040240_cor1
Nechaev, D. V.
Myasoedov, A. V.
Koshelev, O. A.
Zhmerik, V. N.; Pokaż więcej
Źródło :: Technical Physics Letters. 46(4):389-392
: Czasopismo naukowe

Szczegóły

Skocz do pozycji: 4 4.

Tytuł :: Boson Peak Related to Ga Nanoclusters in AlGaN Layers Grown by Plasma-Assisted Molecular Beam Epitaxy at Ga-Rich Conditions
Autorzy :: Davydov, V. Yu.
Jmerik, V. N.
Roginskii, E. M.
Kitaev, Yu. E.
Beltukov, Y. M.
Smirnov, M. B.
Nechaev, D. V.
Smirnov, A. N.
Eliseyev, I. A.
Brunkov, P. N.
Ivanov, S. V.; Pokaż więcej
Źródło :: Semiconductors. 53(11):1479-1488
: Czasopismo naukowe

Szczegóły Pełny tekst Pełny tekst

Skocz do pozycji: 5 5.

Tytuł :: Features of the Selective Growth of GaN Nanorods on Patterned c-Sapphire Substrates of Various Configurations
Autorzy :: Semenov, A. N.
Nechaev, D. V.
Troshkov, S. I.
Nashchekin, A. V.
Brunkov, P. N.
Jmerik, V. N.
Ivanov, S. V.; Pokaż więcej
Źródło :: Semiconductors. 52(13):1770-1774
: Czasopismo naukowe

Szczegóły Pełny tekst Pełny tekst

Skocz do pozycji: 6 6.

Tytuł :: Site-Controlled Growth of GaN Nanorods with Inserted InGaN Quantum Wells on μ-Cone Patterned Sapphire Substrates by Plasma-Assisted MBE
Autorzy :: Jmerik, V. N.
Shubina, T. V.
Nechaev, D. V.
Semenov, A. N.
Kirilenko, D. A.
Davydov, V. Yu.
Smirnov, A. N.
Eliseev, I. A.
Posina, G.
Ivanov, S. V.; Pokaż więcej
Źródło :: Semiconductors. 52(5):667-670
: Czasopismo naukowe

Szczegóły Pełny tekst

Skocz do pozycji: 7 7.

Informacja :: Dostęp do tej pozycji wymaga zalogowania się.
: Czasopismo naukowe

Szczegóły

Skocz do pozycji: 8 8.

Tytuł :: Metal-Semiconductor Nanoheterostructures with an AlGaN Quantum Well and In Situ Formed Surface Al Nanoislands
Autorzy :: Evropeytsev, E. A.
Semenov, A. N.
Nechaev, D. V.
Jmerik, V. N.
Kaibyshev, V. Kh.
Troshkov, S. I.
Brunkov, P. N.
Usikova, A. A.
Ivanov, S. V.
Toropov, A. A.; Pokaż więcej
Źródło :: Semiconductors. 52(5):622-624
: Czasopismo naukowe

Szczegóły Pełny tekst

Skocz do pozycji: 9 9.

Informacja :: Dostęp do tej pozycji wymaga zalogowania się.
: Czasopismo naukowe

Szczegóły

Skocz do pozycji: 10 10.

Tytuł :: AlGaN Nanostructures with Extremely High Room-Temperature Internal Quantum Efficiency of Emission Below 300 nm
Autorzy :: Toropov, A. A.
Shevchenko, E. A.
Shubina, T. V.
Jmerik, V. N.
Nechaev, D. V.
Evropeytsev, E. A.
Kaibyshev, V. Kh.
Pozina, G.
Rouvimov, S.
Ivanov, S. V.; Pokaż więcej
Źródło :: Journal of Electronic Materials. July 2017 46(7):3888-3893
: Czasopismo naukowe

Szczegóły

Skocz do pozycji: 11 11.

Tytuł :: Stress generation and relaxation in (Al,Ga)N/6H-SiC heterostructure grown by plasma-assisted molecular-beam epitaxy
Autorzy :: Nechaev, D. V.
Sitnikova, A. A.
Brunkov, P. N.
Ivanov, S. V.
Jmerik, V. N.; Pokaż więcej
Źródło :: Technical Physics Letters. May 2017 43(5):443-446
: Czasopismo naukowe

Szczegóły Pełny tekst

Skocz do pozycji: 12 12.

Tytuł :: Monitoring of elastic stresses with optical system for measuring the substrate curvature in growth of III-N heterostructures by molecular-beam epitaxy
Autorzy :: Zolotukhin, D. S.
Nechaev, D. V.
Ivanov, S. V.
Zhmerik, V. N.; Pokaż więcej
Źródło :: Technical Physics Letters. March 2017 43(3):262-266
: Czasopismo naukowe

Szczegóły Pełny tekst

Skocz do pozycji: 13 13.

Tytuł :: AlGaN nanostructures with extremely high quantum yield at 300 K
Autorzy :: Toropov, A. A.
Shevchenko, E. A.
Shubina, T. V.
Jmerik, V. N.
Nechaev, D. V.
Pozina, G.
Ivanov, S. V.; Pokaż więcej
Źródło :: Physics of the Solid State. November 2016 58(11):2261-2266
: Czasopismo naukowe

Szczegóły Pełny tekst

Skocz do pozycji: 14 14.

Tytuł :: Specific features of the cathodoluminescence spectra of AlInGaN QWs, caused by the influence of phase separation and internal electric fields
Autorzy :: Kuznetsova, Ya. V.
Jmerik, V. N.
Nechaev, D. V.
Kuznetsov, A. M.
Zamoryanskaya, M. V.; Pokaż więcej
Źródło :: Semiconductors. July 2016 50(7):904-909
: Czasopismo naukowe

Szczegóły Pełny tekst

Skocz do pozycji: 15 15.

Tytuł :: Solar-blind Al x Ga1–x N (x > 0.45) p–i–n photodiodes with a polarization-p-doped emitter
Autorzy :: Kuznetsova, N. V.
Nechaev, D. V.
Shmidt, N. M.
Karpov, S. Yu.
Rzheutskii, N. V.
Zemlyakov, V. E.
Kaibyshev, V. Kh.
Kazantsev, D. Yu.
Troshkov, S. I.
Egorkin, V. I.
Ber, B. Ya.
Lutsenko, E. V.
Ivanov, S. V.
Jmerik, V. N.; Pokaż więcej
Źródło :: Technical Physics Letters. June 2016 42(6):635-638
: Czasopismo naukowe

Szczegóły Pełny tekst

Skocz do pozycji: 16 16.

Tytuł :: X-ray diffractometry of AlN/c-sapphire templates obtained by plasma-activated molecular beam epitaxy
Autorzy :: Ratnikov, V. V.
Nechaev, D. V.
Jmerik, V. N.
Ivanov, S. V.; Pokaż więcej
Źródło :: Technical Physics Letters. April 2016 42(4):419-422
: Czasopismo naukowe

Szczegóły Pełny tekst

Skocz do pozycji: 17 17.

Informacja :: Dostęp do tej pozycji wymaga zalogowania się.
: Czasopismo naukowe

Szczegóły

Skocz do pozycji: 18 18.

Tytuł :: Formation of metastable graphite inclusions during diamond crystallization in model systems
Autorzy :: Nechaev, D. V.
Khokhryakov, A. F.; Pokaż więcej
Źródło :: Geology of Ore Deposits. March 2014 56(2):139-146
: Czasopismo naukowe

Szczegóły

Skocz do pozycji: 19 19.

Informacja :: Dostęp do tej pozycji wymaga zalogowania się.
: Czasopismo naukowe

Szczegóły

Skocz do pozycji: 20 20.

Tytuł :: Spontaneous and stimulated emission in the mid-ultraviolet range of quantum-well heterostructures based on AlGaN compounds grown by molecular beam epitaxy on c-sapphire substrates
Autorzy :: Lutsenko, E. V.
Rzheutskii, N. V.
Pavlovskii, V. N.
Yablonskii, G. P.
Nechaev, D. V.
Sitnikova, A. A.
Ratnikov, V. V.
Kuznetsova, Ya. V.
Zhmerik, V. N.
Ivanov, S. V.; Pokaż więcej
Źródło :: Physics of the Solid State. October 2013 55(10):2173-2181
: Czasopismo naukowe

Szczegóły Pełny tekst

Informacja

Prolib Integro - strona głównaUniwersytet Ekonomiczny we Wrocławiu

Wyszukujesz frazę ""Nechaev, D. V."" wg kryterium: Autor

Źródło danych

Ogranicz do:

Ogranicz do bazy

Typ dokumentu

Temat

Wydawca

Publikacja

Język