Informacja

Drogi użytkowniku, aplikacja do prawidłowego działania wymaga obsługi JavaScript. Proszę włącz obsługę JavaScript w Twojej przeglądarce.

Wyszukujesz frazę ""Nechaev, D. V."" wg kryterium: Autor


Wyświetlanie 1-5 z 5
Tytuł:
Metal-Semiconductor Nanoheterostructures with an AlGaN Quantum Well and In Situ Formed Surface Al Nanoislands.
Autorzy:
Evropeytsev, E. A.
Semenov, A. N.
Nechaev, D. V.
Jmerik, V. N.
Kaibyshev, V. Kh.
Troshkov, S. I.
Brunkov, P. N.
Usikova, A. A.
Ivanov, S. V.
Toropov, A. A.
Pokaż więcej
Temat:
SEMICONDUCTORS
ALUMINUM alloys
GALLIUM nitride
QUANTUM wells
MOLECULAR beam epitaxy
HETEROSTRUCTURES
Źródło:
Semiconductors; May2018, Vol. 52 Issue 5, p622-624, 3p
Czasopismo naukowe
Tytuł:
Spontaneous and stimulated emission in the mid-ultraviolet range of quantum-well heterostructures based on AlGaN compounds grown by molecular beam epitaxy on c-sapphire substrates.
Autorzy:
Lutsenko, E. V.
Rzheutskii, N. V.
Pavlovskii, V. N.
Yablonskii, G. P.
Nechaev, D. V.
Sitnikova, A. A.
Ratnikov, V. V.
Kuznetsova, Ya. V.
Zhmerik, V. N.
Ivanov, S. V.
Pokaż więcej
Temat:
ALUMINUM gallium nitride
PHOTON emission
STIMULATED emission
ULTRAVIOLET spectroscopy
QUANTUM wells
HETEROSTRUCTURES
MOLECULAR beam epitaxy
SAPPHIRES
SUBSTRATES (Materials science)
Źródło:
Physics of the Solid State; Oct2013, Vol. 55 Issue 10, p2173-2181, 9p
Czasopismo naukowe
    Wyświetlanie 1-5 z 5

    Ta witryna wykorzystuje pliki cookies do przechowywania informacji na Twoim komputerze. Pliki cookies stosujemy w celu świadczenia usług na najwyższym poziomie, w tym w sposób dostosowany do indywidualnych potrzeb. Korzystanie z witryny bez zmiany ustawień dotyczących cookies oznacza, że będą one zamieszczane w Twoim komputerze. W każdym momencie możesz dokonać zmiany ustawień dotyczących cookies