Autor: "Nevedomskiy, V N" - OpacWWW

Skocz do pozycji: 1.

Informacja:: Dostęp do tej pozycji wymaga zalogowania się.

Czasopismo naukowe

na półce

Pełny tekst Szczegóły

Skocz do pozycji: 2.

Informacja:: Dostęp do tej pozycji wymaga zalogowania się.

Czasopismo naukowe

na półce

Pełny tekst Szczegóły

Skocz do pozycji: 3.

Tytuł:: Optical anisotropy of InGaAs quantum dots
Autorzy:: Blokhin, S. A.
Nadtochiy, A. M.
Krasivichev, A. A.
Karachinsky, L. Ya.
Vasil’ev, A. P.
Nevedomskiy, V. N.
Maximov, M. V.
Cirlin, G. E.
Buravlev, A. D.
Maleev, N. A.
Zhukov, A. E.
Ledentsov, N. N.
Ustinov, V. M.; Pokaż więcej
Źródło:: Semiconductors. January 2013 47(1):85-89

Czasopismo naukowe

na półce

Pełny tekst Szczegóły

Skocz do pozycji: 4.

Informacja:: Dostęp do tej pozycji wymaga zalogowania się.

Czasopismo naukowe

na półce

Pełny tekst Szczegóły

Skocz do pozycji: 5.

Informacja:: Dostęp do tej pozycji wymaga zalogowania się.

Czasopismo naukowe

na półce

Pełny tekst Szczegóły

Skocz do pozycji: 6.

Informacja:: Dostęp do tej pozycji wymaga zalogowania się.

Czasopismo naukowe

na półce

Pełny tekst Szczegóły

Skocz do pozycji: 7.

Tytuł:: Emission spectra of a laser based on an In(Ga)As/GaAs quantum-dot superlattice
Autorzy:: Sobolev, M. M.
Buyalo, M. S.
Nevedomskiy, V. N.
Zadiranov, Yu. M.
Zolotareva, R. V.
Vasil’ev, A. P.
Ustinov, V. M.
Portnoi, E. L.; Pokaż więcej
Źródło:: Semiconductors. October 2015 49(10):1335-1340

Czasopismo naukowe

na półce

Pełny tekst Szczegóły

Skocz do pozycji: 8.

Informacja:: Dostęp do tej pozycji wymaga zalogowania się.

Czasopismo naukowe

na półce

Pełny tekst Szczegóły

Skocz do pozycji: 9.

Informacja:: Dostęp do tej pozycji wymaga zalogowania się.

Czasopismo naukowe

na półce

Pełny tekst Szczegóły

Skocz do pozycji: 10.

Informacja:: Dostęp do tej pozycji wymaga zalogowania się.

Czasopismo naukowe

na półce

Pełny tekst Szczegóły

Skocz do pozycji: 11.

Informacja:: Dostęp do tej pozycji wymaga zalogowania się.

Czasopismo naukowe

na półce

Pełny tekst Szczegóły

Skocz do pozycji: 12.

Tytuł:: Study of the structural and optical properties of GaP(N) layers synthesized by molecular-beam epitaxy on Si(100) 4° substrates
Autorzy:: Kryzhanovskaya, N. V.
Polubavkina, Yu. S.
Nevedomskiy, V. N.
Nikitina, E. V.
Lazarenko, A. A.
Egorov, A. Yu.
Maximov, M. V.
Moiseev, E. I.
Zhukov, A. E.; Pokaż więcej
Źródło:: Semiconductors. February 2017 51(2):267-271

Czasopismo naukowe

na półce

Pełny tekst Szczegóły

Skocz do pozycji: 13.

Informacja:: Dostęp do tej pozycji wymaga zalogowania się.

Czasopismo naukowe

na półce

Szczegóły

Skocz do pozycji: 14.

Tytuł:: InAs QDs in a metamorphic In0.25Ga0.75As matrix, grown by MOCVD
Autorzy:: Mintairov, S. A.
Kalyuzhnyy, N. A.
Maximov, M. V.
Nadtochiy, A. M.
Nevedomskiy, V. N.
Zhukov, A. E.; Pokaż więcej
Źródło:: Semiconductors. May 2017 51(5):672-678

Czasopismo naukowe

na półce

Pełny tekst Szczegóły

Skocz do pozycji: 15.

Tytuł:: Multilayer Quantum Well-Dot InGaAs Heterostructures in GaAs-based Photovoltaic Converters.
Autorzy:: Mintairov, S. A.
Kalyuzhnyy, N. A.
Nadtochiy, A. M.
Maximov, M. V.
Nevedomskiy, V. N.
Sokura, L. A.
Rouvimov, S. S.
Shvarts, M. Z.
Zhukov, A. E.; Pokaż więcej
Źródło:: Semiconductors. Oct2018, Vol. 52 Issue 10, p1249-1254. 6p.

Czasopismo naukowe

na półce

Pełny tekst Pełny tekst Szczegóły

Skocz do pozycji: 16.

Informacja:: Dostęp do tej pozycji wymaga zalogowania się.

Czasopismo naukowe

na półce

Szczegóły

Skocz do pozycji: 17.

Informacja:: Dostęp do tej pozycji wymaga zalogowania się.

Czasopismo naukowe

na półce

Szczegóły

Skocz do pozycji: 18.

Tytuł:: High-Power Quantum-Cascade Lasers Emitting in the 8-μm Wavelength Range.
Autorzy:: Babichev, A. V. (AUTHOR)
Dudelev, V. V. (AUTHOR)
Gladyshev, A. G. (AUTHOR)
Mikhailov, D. A. (AUTHOR)
Kurochkin, A. S. (AUTHOR)
Kolodeznyi, E. S. (AUTHOR)
Bougrov, V. E. (AUTHOR)
Nevedomskiy, V. N. (AUTHOR)
Karachinsky, L. Ya. (AUTHOR)
Novikov, I. I. (AUTHOR)
Denisov, D. V. (AUTHOR)
Ionov, A. S. (AUTHOR)
Slipchenko, S. O. (AUTHOR)
Lutetskiy, A. V. (AUTHOR)
Pikhtin, N. A. (AUTHOR)
Sokolovskii, G. S. (AUTHOR)
Egorov, A. Yu. (AUTHOR); Pokaż więcej
Źródło:: Technical Physics Letters. Jul2019, Vol. 45 Issue 7, p735-738. 4p.

Czasopismo naukowe

na półce

Pełny tekst Szczegóły

Skocz do pozycji: 19.

Tytuł:: The Effect of Thermal Treatment on Properties of Composite Silicon–Carbon Anodes for Lithium-Ion Batteries
Autorzy:: Astrova, E. V.
Parfeneva, A. V.
Rumyantsev, A. M.
Ulin, V. P.
Baidakova, M. V.
Nevedomskiy, V. N.
Nashchekin, A. V.; Pokaż więcej
Źródło:: Technical Physics Letters. 46(2):114-117

Czasopismo naukowe

na półce

Pełny tekst Pełny tekst Szczegóły

Skocz do pozycji: 20.

Tytuł:: Interaction of Fluorocarbon with Silicon Monoxide and Processes of SiC Nanowire Formation.
Autorzy:: Astrova, E. V. (AUTHOR)
Ulin, V. P. (AUTHOR)
Parfeneva, A. V. (AUTHOR)
Nashchekin, A. V. (AUTHOR)
Nevedomskiy, V. N. (AUTHOR)
Baidakova, M. V. (AUTHOR); Pokaż więcej
Źródło:: Semiconductors. Aug2020, Vol. 54 Issue 8, p900-911. 12p.

Czasopismo naukowe

na półce

Pełny tekst Pełny tekst Szczegóły

Informacja

Wyszukujesz frazę ""Nevedomskiy, V N"" wg kryterium: Autor

Źródło danych

Ogranicz do:

Ogranicz do bazy

Typ dokumentu

Temat

Wydawca

Publikacja

Język

Rok publikacji