- Tytuł:
-
Electrical and optical properties of oxygen doped GaN grown by MOCVD using N
2 O - Autorzy:
- Źródło:
- Journal of Electronic Materials. October 1997 26(10):1127-1130
Czasopismo naukowe
Drogi użytkowniku, aplikacja do prawidłowego działania wymaga obsługi JavaScript. Proszę włącz obsługę JavaScript w Twojej przeglądarce.