Informacja

Drogi użytkowniku, aplikacja do prawidłowego działania wymaga obsługi JavaScript. Proszę włącz obsługę JavaScript w Twojej przeglądarce.

Przeglądasz jako GOŚĆ

Wyszukujesz frazę ""Nyamhere, C."" wg kryterium: Autor


Tytuł :
Ar plasma induced deep levels in epitaxial n-GaAs.
Autorzy :
Venter, A.
Nyamhere, C.
Botha, J. R.
Auret, F. D.
Janse van Rensburg, P. J.
Meyer, W. E.
Coelho, S. M. M.
Kolkovsky, V. l.
Pokaż więcej
Temat :
ARGON plasmas
GALLIUM arsenide
PLASMA etching
IRRADIATION
HYDROGEN plasmas
DEEP level transient spectroscopy
ARRHENIUS equation
ENTHALPY
Źródło :
Journal of Applied Physics; Jan2012, Vol. 111 Issue 1, p013703, 4p, 1 Chart, 5 Graphs
Czasopismo naukowe
Tytuł :
Electrical characterization of {311} defects and related junction leakage currents in n-type Si after ion implantation.
Autorzy :
Nyamhere, C.
Cristiano, F.
Olivie, F.
Bedel-Pereira, E.
Boucher, J.
Essa, Z.
Bolze, D.
Yamamoto, Y.
Pokaż więcej
Temat :
ELECTRIC properties
CRYSTAL defects
STRAY currents
ION implantation
SILICON
MICROFABRICATION
CHEMICAL vapor deposition
Źródło :
AIP Conference Proceedings; Nov2012, Vol. 1496 Issue 1, p171-174, 4p
Konferencja

Ta witryna wykorzystuje pliki cookies do przechowywania informacji na Twoim komputerze. Pliki cookies stosujemy w celu świadczenia usług na najwyższym poziomie, w tym w sposób dostosowany do indywidualnych potrzeb. Korzystanie z witryny bez zmiany ustawień dotyczących cookies oznacza, że będą one zamieszczane w Twoim komputerze. W każdym momencie możesz dokonać zmiany ustawień dotyczących cookies