Autor: "OMOTOSO, E." - OpacWWW

Skocz do pozycji: 1.

Tytuł:: Electronic properties and defect levels induced by [formula omitted]-type defect-complexes in Ge
Autorzy:: Igumbor, E.; Pokaż więcej
Źródło:: In Materials Science in Semiconductor Processing 1 November 2022 150

Czasopismo naukowe

na półce

Szczegóły

Skocz do pozycji: 2.

Tytuł:: Investigation of Point Refractivity Gradient and Geoclimatic Factor at 70 m Altitude in Yenagoa, Nigeria.
Autorzy:: Lawal, Y. B.
Omotoso, E. T.; Pokaż więcej
Źródło:: Journal of Nigerian Society of Physical Sciences. Feb2023, Vol. 5 Issue 1, p1-6. 6p.

na półce

Pełny tekst Szczegóły

Skocz do pozycji: 3.

Tytuł:: Effective pseudocapacitive performance of binder free transparent α-V2O5 thin film electrode: Electrochemical and some surface probing
Autorzy:: Adewinbi, S.A.; Pokaż więcej
Źródło:: In Physica B: Physics of Condensed Matter 15 November 2021 621

Czasopismo naukowe

na półce

Szczegóły

Skocz do pozycji: 4.

Tytuł:: Characterization of two-way fabricated hybrid metal-oxide nanostructured electrode materials for photovoltaic and miniaturized supercapacitor applications
Autorzy:: Adewinbi, S.A.; Pokaż więcej
Źródło:: In Solid State Sciences September 2021 119

Czasopismo naukowe

na półce

Szczegóły

Skocz do pozycji: 5.

Tytuł:: Stability, electronic and defect levels induced by substitution of Al and P pair in 4H–SiC
Autorzy:: Igumbor, E.; Pokaż więcej
Źródło:: In Journal of Physics and Chemistry of Solids July 2020 142

Czasopismo naukowe

na półce

Szczegóły

Skocz do pozycji: 6.

Informacja:: Dostęp do tej pozycji wymaga zalogowania się.

Czasopismo naukowe

na półce

Szczegóły

Skocz do pozycji: 7.

Tytuł:: The study of low temperature irradiation induced defects in p-Si using deep-level transient spectroscopy
Autorzy:: Danga, H.T.
Tunhuma, S.M.
Auret, F.D.
Igumbor, E.
Omotoso, E.
Meyer, W.E.; Pokaż więcej
Źródło:: In Nuclear Inst. and Methods in Physics Research, B 1 March 2019 442:28-30

Czasopismo naukowe

na półce

Szczegóły

Skocz do pozycji: 8.

Tytuł:: Defect levels induced by double substitution of B and N in 4H-SiC
Autorzy:: Igumbor, E.; Pokaż więcej
Źródło:: In Nuclear Inst. and Methods in Physics Research, B 1 March 2019 442:41-46

Czasopismo naukowe

na półce

Szczegóły

Skocz do pozycji: 9.

Tytuł:: Induced defect levels of P and Al vacancy-complexes in [formula omitted]-SiC: A hybrid functional study
Autorzy:: Igumbor, E.; Pokaż więcej
Źródło:: In Materials Science in Semiconductor Processing January 2019 89:77-84

Czasopismo naukowe

na półce

Szczegóły

Skocz do pozycji: 10.

Tytuł:: Electrical characterisation of deep level defects created by bombarding the n-type 4H-SiC with 1.8 MeV protons
Autorzy:: Omotoso, E.; Pokaż więcej
Źródło:: In Surface & Coatings Technology 15 December 2018 355:2-6

Czasopismo naukowe

na półce

Szczegóły

Skocz do pozycji: 11.

Tytuł:: Comparison of nickel, cobalt, palladium, and tungsten Schottky contacts on n-4H-silicon carbide
Autorzy:: Gora, V.E.; Pokaż więcej
Źródło:: In Physica B: Physics of Condensed Matter 15 April 2018 535:333-337

Czasopismo naukowe

na półce

Szczegóły

Skocz do pozycji: 12.

Tytuł:: Characterisation of Cs ion implanted GaN by DLTS
Autorzy:: Ngoepe, P.N.M.
Meyer, W.E.
Auret, F.D.
Omotoso, E.
Hlatshwayo, T.T.
Diale, M.; Pokaż więcej
Źródło:: In Physica B: Physics of Condensed Matter 15 April 2018 535:96-98

Czasopismo naukowe

na półce

Szczegóły

Skocz do pozycji: 13.

Tytuł:: Preparation and Surface Characterization of Nanostructured MoO3/CoxOy and V2O5/CoxOy Interfacial Layers as Transparent Oxide Structures for Photoabsorption
Autorzy:: Adewinbi, S. A.Aff1, Aff2
Taleatu, B. A.
Busari, R. A.
Adewumi, O. E.
Omotoso, E.
Oyedotun, K. O.
Manyala, N.; Pokaż więcej
Źródło:: Journal of Electronic Materials. 49(6):3837-3848

Czasopismo naukowe

na półce

Szczegóły

Skocz do pozycji: 14.

Tytuł:: Synthesis and surface characterization of electrodeposited quaternary chalcogenide Cu2ZnxSnyS1+x+2y thin film as transparent contact electrode
Autorzy:: Busari, R AAff1, Aff4
Taleatu, B A
Adewinbi, S AAff1, Aff2
Adewumi, O E
Omotoso, E
Oyedotun, K O
Fasasi, A Y; Pokaż więcej
Źródło:: Bulletin of Materials Science: Published by the Indian Academy of Sciences. 43(1)

Czasopismo naukowe

na półce

Pełny tekst Pełny tekst Szczegóły

Skocz do pozycji: 15.

Tytuł:: Electrical characterization of electron irradiated and annealed lowly-doped 4H-SiC
Autorzy:: Omotoso, E.; Pokaż więcej
Źródło:: In Nuclear Inst. and Methods in Physics Research, B 15 October 2017 409:41-45

Czasopismo naukowe

na półce

Szczegóły

Skocz do pozycji: 16.

Tytuł:: Electrical characterization of defects induced by electron beam exposure in low doped n-GaAs
Autorzy:: Tunhuma, S.M.
Auret, F.D.
Nel, J.M.
Omotoso, E.
Danga, H.T.
Igumbor, E.
Diale, M.; Pokaż więcej
Źródło:: In Nuclear Inst. and Methods in Physics Research, B 15 October 2017 409:36-40

Czasopismo naukowe

na półce

Szczegóły

Skocz do pozycji: 17.

Tytuł:: The effects of high-energy proton irradiation on the electrical characteristics of Au/Ni/4H-SiC Schottky barrier diodes
Autorzy:: Omotoso, E.; Pokaż więcej
Źródło:: In Nuclear Inst. and Methods in Physics Research, B 15 October 2017 409:241-245

Czasopismo naukowe

na półce

Szczegóły

Skocz do pozycji: 18.

Tytuł:: Rare earth substitutional impurities in germanium: A hybrid density functional theory study
Autorzy:: Igumbor, E.; Pokaż więcej
Źródło:: In Nuclear Inst. and Methods in Physics Research, B 15 October 2017 409:31-35

Czasopismo naukowe

na półce

Szczegóły

Skocz do pozycji: 19.

Tytuł:: Thermal stability of defects introduced by electron beam deposition in p-type silicon
Autorzy:: Danga, H.T.
Auret, F.D.
Tunhuma, S.M.
Omotoso, E.
Igumbor, E.
Meyer, W.E.; Pokaż więcej
Źródło:: In Nuclear Inst. and Methods in Physics Research, B 15 October 2017 409:46-49

Czasopismo naukowe

na półce

Szczegóły

Skocz do pozycji: 20.

Tytuł:: Deep level transient spectroscopy characterisation of Xe irradiated GaN
Autorzy:: Ngoepe, P.N.M.; Pokaż więcej
Źródło:: In Nuclear Inst. and Methods in Physics Research, B 15 October 2017 409:69-71

Czasopismo naukowe

na półce

Szczegóły

Informacja

Wyszukujesz frazę ""OMOTOSO, E."" wg kryterium: Autor

Źródło danych

Ogranicz do:

Ogranicz do bazy

Typ dokumentu

Temat

Wydawca

Publikacja

Język