Informacja

Drogi użytkowniku, aplikacja do prawidłowego działania wymaga obsługi JavaScript. Proszę włącz obsługę JavaScript w Twojej przeglądarce.

English (EN)·Polski (PL)·Ukraiński (UK)
Przejdź do strony domowej biblioteki Uniwersytet Ekonomiczny we Wrocławiu Link otwiera się w nowym oknie Logo biblioteki Prolib Integro - strona głównaUniwersytet Ekonomiczny we Wrocławiu

Wyszukujesz frazę ""Ofiare, A."" wg kryterium: Autor

  Lista filtrów
Wyrównaj
    Wyświetlanie 1-6 z 6
    Tytuł:
    Analysis of Stability of Nano- vs Micro-sized Resonant Tunnelling Diode (RTD) Devices for Future Neuromorphic Computing Applications.
    Autorzy:
    Ali Al-Taai, Qusay Raghib
    Jue Wang
    Morariu, Razvan
    Ofiare, Afesomeh
    Al-Khalidi, Abdullah
    Wasige, Edward
    Pokaż więcej
    Temat:
    RESONANT tunneling
    TUNNEL diodes
    ENERGY development
    ENERGY consumption
    PHOTOLITHOGRAPHY
    Źródło:
    International Journal of Nanoelectronics & Materials; 2021 Special Issue, Vol. 14, p149-155, 7p
    Czasopismo naukowe
    Pełny tekst  Link otwiera się w nowym oknieSzczegóły
    Tytuł:
    Heavily Doped n++ GaN Cap Layer AlN/GaN Metal Oxide Semiconductor High Electron Mobility Transistor.
    Autorzy:
    Karami, K.
    Taking, S.
    Ofiare, A.
    Dhongde, A.
    Al-Khalidi, A.
    Wasige, E.
    Pokaż więcej
    Temat:
    METAL oxide semiconductors
    OHMIC contacts
    GALLIUM nitride
    MODULATION-doped field-effect transistors
    SURFACE passivation
    BREAKDOWN voltage
    Źródło:
    International Journal of Nanoelectronics & Materials; 2021 Special Issue, Vol. 14, p45-51, 7p
    Czasopismo naukowe
    Pełny tekst  Link otwiera się w nowym oknieSzczegóły
    Tytuł:
    The Role of Selective Pattern Etching to Improve the Ohmic Contact Resistance and Device Performance of AlGaN/GaN HEMTs.
    Autorzy:
    Dhongde, A.
    Taking, S.
    Elksne, M.
    Samanta, S. .
    Ofiare, A.
    Karami, K.
    Al-Khalidi, A. .
    Wasige, E.
    Pokaż więcej
    Temat:
    OHMIC contacts
    OHMIC resistance
    GALLIUM nitride
    ETCHING
    MODULATION-doped field-effect transistors
    Źródło:
    International Journal of Nanoelectronics & Materials; 2021 Special Issue, Vol. 14, p21-28, 8p
    Czasopismo naukowe
    Pełny tekst  Link otwiera się w nowym oknieSzczegóły
    Tytuł:
    Ohmic Contacts Optimisation for High-Power InGaAs/AlAs Double-Barrier Resonant Tunnelling Diodes Based on a Dual-Exposure E-Beam Lithography Approach.
    Autorzy:
    Cimbri, Davide
    Weimann, Nils
    Ali Al-Taai, Qusay Raghib
    Ofiare, Afesomeh
    Wasige, Edward
    Pokaż więcej
    Temat:
    OHMIC contacts
    TUNNEL diodes
    INDIUM gallium arsenide
    ELECTRON beams
    LITHOGRAPHY
    RESONANT tunneling
    Źródło:
    International Journal of Nanoelectronics & Materials; 2021 Special Issue, Vol. 14, p11-19, 9p
    Czasopismo naukowe
    Pełny tekst  Link otwiera się w nowym oknieSzczegóły
      Wyświetlanie 1-6 z 6

      Ta witryna wykorzystuje pliki cookies do przechowywania informacji na Twoim komputerze. Pliki cookies stosujemy w celu świadczenia usług na najwyższym poziomie, w tym w sposób dostosowany do indywidualnych potrzeb. Korzystanie z witryny bez zmiany ustawień dotyczących cookies oznacza, że będą one zamieszczane w Twoim komputerze. W każdym momencie możesz dokonać zmiany ustawień dotyczących cookies