Informacja

Drogi użytkowniku, aplikacja do prawidłowego działania wymaga obsługi JavaScript. Proszę włącz obsługę JavaScript w Twojej przeglądarce.

Przeglądasz jako GOŚĆ

Wyszukujesz frazę ""Oh, A."" wg kryterium: Autor


Tytuł :
Impact of SiNx capping on the formation of source/drain contact for In-Ga-Zn-O thin film transistor with self-aligned gate.
Autorzy :
Himchan Oh
Jae-Eun Pi
Chi-Sun Hwang
Oh-Sang Kwon
Pokaż więcej
Temat :
THIN film transistors
INDIUM gallium zinc oxide
SILICON nitride
ELECTRIC resistance
CAPACITANCE-voltage characteristics
Źródło :
Applied Physics Letters; 12/18/2017, Vol. 111 Issue 25, p1-4, 4p, 1 Diagram, 1 Chart, 4 Graphs
Czasopismo naukowe

Ta witryna wykorzystuje pliki cookies do przechowywania informacji na Twoim komputerze. Pliki cookies stosujemy w celu świadczenia usług na najwyższym poziomie, w tym w sposób dostosowany do indywidualnych potrzeb. Korzystanie z witryny bez zmiany ustawień dotyczących cookies oznacza, że będą one zamieszczane w Twoim komputerze. W każdym momencie możesz dokonać zmiany ustawień dotyczących cookies