Autor: "Ol'shanskii, E. D." - OpacWWW - Prolib Integro

Drogi użytkowniku, aplikacja do prawidłowego działania wymaga obsługi JavaScript. Proszę włącz obsługę JavaScript w Twojej przeglądarce.

Wyszukujesz frazę ""Ol'shanskii, E. D."" wg kryterium: Autor

Wyświetlanie 1-6 z 6

Zaznacz stronę

Skocz do pozycji: 1.

Tytuł:: The Influence of Integrated Resistors Formed under Ion Irradiation on the Superconducting Transitions of Niobium Nitride Nanoconductors
Autorzy:: Gurovich, B. A.
Prikhod’ko, K. E.Aff1, Aff2
Goncharov, B. V.Aff1, IDS1063784220110146_cor3
Dement’eva, M. M.
Kutuzov, L. V.
Komarov, D. A.
Domantovskii, A. G.
Stolyarov, V. L.
Ol’shanskii, E. D.; Pokaż więcej
Źródło:: Technical Physics. 65(11):1777-1779

Czasopismo naukowe

na półce

Pełny tekst Szczegóły

Skocz do pozycji: 2.

Tytuł:: Shift and broadening of surface polaritons of sapphire upon deposition of a quasicrystalline film
Autorzy:: Novikova, N. N.
Ol’shanskii, E. D.
Teplov, A. A.
Shaitura, D. S.
Yakovlev, V. A.; Pokaż więcej
Źródło:: Physics of the Solid State. March 2012 54(3):573-577

Czasopismo naukowe

na półce

Pełny tekst Szczegóły

Skocz do pozycji: 3.

Tytuł:: Investigation of the thermal diffusion during the formation of a quasicrystalline phase in thin Al-Pd-Re films
Autorzy:: Seregin, A. Yu.
Makhotkin, I. A.
Yakunin, S. N.
Erko, A. I.
Tereshchenko, E. Yu.
Shaitura, D. S.
Chikina, E. A.
Tsetlin, M. B.
Mikheeva, M. N.
Ol’shanskii, E. D.; Pokaż więcej
Źródło:: Crystallography Reports. May 2011 56(3):497-501

Czasopismo naukowe

na półce

Pełny tekst Szczegóły

Skocz do pozycji: 4.

Tytuł:: Luminescence excitation and its relation to the structures of natural crystalline diamond and diamond-like films
Autorzy:: Tsetlin, M. B.
Ivanov, S. N.
Vasil’ev, A. N.
Prikhod’ko, K. E.
Dolgii, D. I.
Ol’shanskii, E. D.; Pokaż więcej
Źródło:: Journal of Surface Investigation. X-ray, Synchrotron and Neutron Techniques. December 2007 1(6):651-655

Czasopismo naukowe

na półce

Szczegóły

Skocz do pozycji: 5.

Tytuł:: Potential barrier formation at a metal-semiconductor contact using selective removal of atoms
Autorzy:: Gurovich, B. A.
Aronzon, B. A.
Ryl’kov, V. V.
Ol’shanskii, E. D.
Kuleshova, E. A.
Dolgii, D. I.
Kovalev, D. Yu.
Filippov, V. I.; Pokaż więcej
Źródło:: Semiconductors. September 2004 38(9):1036-1040

Czasopismo naukowe

na półce

Pełny tekst Szczegóły

Skocz do pozycji: 6.

Informacja:: Dostęp do tej pozycji wymaga zalogowania się.

Czasopismo naukowe

na półce

Pełny tekst Szczegóły

Wyświetlanie 1-6 z 6

Ta witryna wykorzystuje pliki cookies do przechowywania informacji na Twoim komputerze. Pliki cookies stosujemy w celu świadczenia usług na najwyższym poziomie, w tym w sposób dostosowany do indywidualnych potrzeb. Korzystanie z witryny bez zmiany ustawień dotyczących cookies oznacza, że będą one zamieszczane w Twoim komputerze. W każdym momencie możesz dokonać zmiany ustawień dotyczących cookies