- Tytuł:
- Behaviour of amorphous silicon carbide in Au/a-SiC/Si heterostructures prepared by PECVD technology using two different RF modes
- Autorzy:
- Źródło:
- In Applied Surface Science 15 March 2013 269:143-147
Czasopismo naukowe
Drogi użytkowniku, aplikacja do prawidłowego działania wymaga obsługi JavaScript. Proszę włącz obsługę JavaScript w Twojej przeglądarce.