Autor: "Palestri, P." - OpacWWW

Skocz do pozycji: 1.

Tytuł:: Characterization of DC performance and low-frequency noise of an array of nMOS Forksheets from 300 K to 4 K
Autorzy:: Asanovski, R.
Grill, A.
Franco, J.
Palestri, P.
Mertens, H.
Ritzenthaler, R.
Horiguchi, N.
Kaczer, B.
Selmi, L.; Pokaż więcej
Źródło:: In Solid State Electronics May 2024 215

Czasopismo naukowe

na półce

Szczegóły

Skocz do pozycji: 2.

Tytuł:: Critical overview and comparison between models for adsorption-desorption noise in bio-chemical sensors
Autorzy:: Fabrizio Bettetti
Leandro Julian Mele
Pierpaolo Palestri; Pokaż więcej
Temat:: Adsorption-desorption noise
Bio-chemical sensors
Kinetic Monte Carlo
Materials of engineering and construction. Mechanics of materials
TA401-492
Industrial electrochemistry
TP250-261
Źródło:: Applied Surface Science Advances, Vol 18, Iss , Pp 100472- (2023)
Opis pliku:: electronic resource
Relacje:: http://www.sciencedirect.com/science/article/pii/S266652392300106X; https://doaj.org/toc/2666-5239
Dostęp URL:: https://doaj.org/article/a5a3325b360c48f582f8e084a6eb4348 Link otwiera się w nowym oknie

Czasopismo naukowe

na półce

Szczegóły

Skocz do pozycji: 3.

Tytuł:: Modeling and optimization of graphene ballistic rectifiers
Autorzy:: Truccolo, D.
Boscolo, S.
Esseni, D.
Midrio, M.
Palestri, P.; Pokaż więcej
Źródło:: In Solid State Electronics August 2022 194

Czasopismo naukowe

na półce

Szczegóły

Skocz do pozycji: 4.

Tytuł:: Semi-classical transport in MoS2 and MoS2 transistors by a Monte Carlo approach
Autorzy:: Pilotto, A.
Khakbaz, P.
Palestri, P.
Esseni, D.; Pokaż więcej
Źródło:: In Solid State Electronics June 2022 192

Czasopismo naukowe

na półce

Szczegóły

Skocz do pozycji: 5.

Tytuł:: On the interpretation of MOS impedance data in both series and parallel circuit topologies
Autorzy:: Caruso, E.
Lin, J.
Monaghan, S.
Cherkaoui, K.
Floyd, L.
Gity, F.
Palestri, P.
Esseni, D.
Selmi, L.
Hurley, P.K.; Pokaż więcej
Źródło:: In Solid State Electronics November 2021 185

Czasopismo naukowe

na półce

Szczegóły

Skocz do pozycji: 6.

Tytuł:: Experimental Characterization of Separate Absorption–Multiplication GaAs Staircase Avalanche Photodiodes under Continuous Laser Light Reveals Periodic Oscillations at High Gains
Autorzy:: Matija Colja
Marco Cautero
Fulvia Arfelli
Michele Bertolo
Giorgio Biasiol
Simone Dal Zilio
Francesco Driussi
Ralf Hendrik Menk
Silvio Modesti
Pierpaolo Palestri
Alessandro Pilotto
Giuseppe Cautero; Pokaż więcej
Temat:: GaAs separate absorption–multiplication avalanche photodiode (GaAs SAM-APD)
anomalous oscillations
transimpedance amplifier
Applied optics. Photonics
TA1501-1820
Źródło:: Photonics, Vol 10, Iss 8, p 933 (2023)
Opis pliku:: electronic resource
Relacje:: https://www.mdpi.com/2304-6732/10/8/933; https://doaj.org/toc/2304-6732
Dostęp URL:: https://doaj.org/article/80af3c09b5d841d4b88d1bda54b1c06b Link otwiera się w nowym oknie

Czasopismo naukowe

na półce

Szczegóły

Skocz do pozycji: 7.

Tytuł:: A model for the jitter of avalanche photodiodes with separate absorption and multiplication regions
Autorzy:: Rosset, F.
Pilotto, A.
Selmi, L.
Antonelli, M.
Arfelli, F.
Biasiol, G.
Cautero, G.
De Angelis, D.
Driussi, F.
Menk, R.H.
Nichetti, C.
Steinhartova, T.
Palestri, P.; Pokaż więcej
Źródło:: In Nuclear Inst. and Methods in Physics Research, A 11 October 2020 977

Czasopismo naukowe

na półce

Szczegóły

Skocz do pozycji: 8.

Tytuł:: Optimization of GaAs/AlGaAs staircase avalanche photodiodes accounting for both electron and hole impact ionization
Autorzy:: Pilotto, A.
Nichetti, C.
Palestri, P.
Selmi, L.
Antonelli, M.
Arfelli, F.
Biasiol, G.
Cautero, G.
Driussi, F.
Esseni, D.
Menk, R.H.
Steinhartova, T.; Pokaż więcej
Źródło:: In Solid State Electronics June 2020 168

Czasopismo naukowe

na półce

Szczegóły

Skocz do pozycji: 9.

Tytuł:: Reproducing capacitive cyclic voltammetric curves by simulation: When are simplified geometries appropriate?
Autorzy:: Leandro Julian Mele
Claudio Verardo
Pierpaolo Palestri; Pokaż więcej
Temat:: 65–02
Industrial electrochemistry
TP250-261
Chemistry
QD1-999
Źródło:: Electrochemistry Communications, Vol 142, Iss , Pp 107378- (2022)
Opis pliku:: electronic resource
Relacje:: http://www.sciencedirect.com/science/article/pii/S1388248122001801; https://doaj.org/toc/1388-2481
Dostęp URL:: https://doaj.org/article/9fae5527c9af4c68b9f9d93420d842c3 Link otwiera się w nowym oknie

Czasopismo naukowe

na półce

Szczegóły

Skocz do pozycji: 10.

Tytuł:: Modeling Approaches for Gain, Noise and Time Response of Avalanche Photodiodes for X-Rays Detection
Autorzy:: A. Pilotto
M. Antonelli
F. Arfelli
G. Biasiol
G. Cautero
M. Cautero
M. Colja
F. Driussi
D. Esseni
R.H. Menk
C. Nichetti
F. Rosset
L. Selmi
T. Steinhartova
P. Palestri; Pokaż więcej
Temat:: avalanche photodiodes
X-rays
modeling
Monte Carlo method
noise
Physics
QC1-999
Źródło:: Frontiers in Physics, Vol 10 (2022)
Opis pliku:: electronic resource
Relacje:: https://www.frontiersin.org/articles/10.3389/fphy.2022.944206/full; https://doaj.org/toc/2296-424X
Dostęp URL:: https://doaj.org/article/5be4b55072454e00b68e307fcdfa4b9c Link otwiera się w nowym oknie

Czasopismo naukowe

na półce

Szczegóły

Skocz do pozycji: 11.

Tytuł:: Improved understanding of metal–graphene contacts
Autorzy:: Driussi, F.
Venica, S.
Gahoi, A.
Gambi, A.
Giannozzi, P.
Kataria, S.
Lemme, M.C.
Palestri, P.
Esseni, D.; Pokaż więcej
Źródło:: In Microelectronic Engineering 15 August 2019 216

Czasopismo naukowe

na półce

Szczegóły

Skocz do pozycji: 12.

Informacja:: Dostęp do tej pozycji wymaga zalogowania się.

Czasopismo naukowe

na półce

Szczegóły

Skocz do pozycji: 13.

Informacja:: Dostęp do tej pozycji wymaga zalogowania się.

Czasopismo naukowe

na półce

Szczegóły

Skocz do pozycji: 14.

Tytuł:: Digital and analog TFET circuits: Design and benchmark
Autorzy:: Strangio, S.
Settino, F.
Palestri, P.
Lanuzza, M.
Crupi, F.
Esseni, D.
Selmi, L.; Pokaż więcej
Źródło:: In Solid State Electronics August 2018 146:50-65

Czasopismo naukowe

na półce

Szczegóły

Skocz do pozycji: 15.

Tytuł:: Synchrotron Radiation Study of Gain, Noise, and Collection Efficiency of GaAs SAM-APDs with Staircase Structure
Autorzy:: Matija Colja
Marco Cautero
Ralf Hendrik Menk
Pierpaolo Palestri
Alessandra Gianoncelli
Matias Antonelli
Giorgio Biasiol
Simone Dal Zilio
Tereza Steinhartova
Camilla Nichetti
Fulvia Arfelli
Dario De Angelis
Francesco Driussi
Valentina Bonanni
Alessandro Pilotto
Gianluca Gariani
Sergio Carrato
Giuseppe Cautero; Pokaż więcej
Temat:: X-ray photodetector
GaAs separate absorption multiplication avalanche photodiode (GaAs SAM-APD)
synchrotron radiation
collection efficiency
staircase structure
Chemical technology
TP1-1185
Źródło:: Sensors, Vol 22, Iss 12, p 4598 (2022)
Opis pliku:: electronic resource
Relacje:: https://www.mdpi.com/1424-8220/22/12/4598; https://doaj.org/toc/1424-8220
Dostęp URL:: https://doaj.org/article/db1924ccf2cf4f698a0a34de342e7b5c Link otwiera się w nowym oknie

Czasopismo naukowe

na półce

Pełny tekst Pełny tekst Szczegóły

Skocz do pozycji: 16.

Tytuł:: Benchmarks of a III-V TFET technology platform against the 10-nm CMOS FinFET technology node considering basic arithmetic circuits
Autorzy:: Strangio, S.
Palestri, P.
Lanuzza, M.
Esseni, D.
Crupi, F.
Selmi, L.; Pokaż więcej
Źródło:: In Solid State Electronics February 2017 128:37-42

Czasopismo naukowe

na półce

Szczegóły

Skocz do pozycji: 17.

Tytuł:: Modeling Nanoscale III–V Channel MOSFETs with the Self-Consistent Multi-Valley/Multi-Subband Monte Carlo Approach
Autorzy:: Enrico Caruso
David Esseni
Elena Gnani
Daniel Lizzit
Pierpaolo Palestri
Alessandro Pin
Francesco Maria Puglisi
Luca Selmi
Nicolò Zagni; Pokaż więcej
Temat:: III–V semiconductors
modeling and simulation
Monte Carlo
Electronics
TK7800-8360
Źródło:: Electronics, Vol 10, Iss 20, p 2472 (2021)
Opis pliku:: electronic resource
Relacje:: https://www.mdpi.com/2079-9292/10/20/2472; https://doaj.org/toc/2079-9292
Dostęp URL:: https://doaj.org/article/7b1695cc3dfb4f8493471b6fa79ff751 Link otwiera się w nowym oknie

Czasopismo naukowe

na półce

Szczegóły

Skocz do pozycji: 18.

Tytuł:: Two dimensional quantum mechanical simulation of low dimensional tunneling devices
Autorzy:: Alper, C.
Palestri, P.
Lattanzio, L.
Padilla, J.L.
Ionescu, A.M.; Pokaż więcej
Źródło:: In Solid State Electronics November 2015 113:167-172

Czasopismo naukowe

na półce

Szczegóły

Skocz do pozycji: 19.

Tytuł:: A Novel Reconfigurable Sub-0.25-V Digital Logic Family Using the Electron-Hole Bilayer TFET
Autorzy:: Cem Alper
Jose Luis Padilla
Pierpaolo Palestri
Adrian M. Ionescu; Pokaż więcej
Temat:: Band-to-band tunneling
tunnel field-effect transistor (TFET)
2D-2D tunneling
quantum mechanical simulation
logic circuits
Electrical engineering. Electronics. Nuclear engineering
TK1-9971
Źródło:: IEEE Journal of the Electron Devices Society, Vol 6, Pp 2-7 (2018)
Opis pliku:: electronic resource
Relacje:: https://ieeexplore.ieee.org/document/8053745/; https://doaj.org/toc/2168-6734
Dostęp URL:: https://doaj.org/article/46479bc472d14cb8aad72295b884ae33 Link otwiera się w nowym oknie

Czasopismo naukowe

na półce

Szczegóły

Skocz do pozycji: 20.

Tytuł:: Strained Silicon Complementary TFET SRAM: Experimental Demonstration and Simulations
Autorzy:: G. V. Luong
S. Strangio
A. T. Tiedemann
P. Bernardy
S. Trellenkamp
P. Palestri
S. Mantl
Q. T. Zhao; Pokaż więcej
Temat:: SRAM
static noise margins
tunnel FET
Electrical engineering. Electronics. Nuclear engineering
TK1-9971
Źródło:: IEEE Journal of the Electron Devices Society, Vol 6, Pp 1033-1040 (2018)
Opis pliku:: electronic resource
Relacje:: https://ieeexplore.ieee.org/document/8335289/; https://doaj.org/toc/2168-6734
Dostęp URL:: https://doaj.org/article/a625054c5f9e4591b41c64cc378915ee Link otwiera się w nowym oknie

Czasopismo naukowe

na półce

Szczegóły

Informacja

Wyszukujesz frazę ""Palestri, P."" wg kryterium: Autor

Źródło danych

Ogranicz do:

Ogranicz do bazy

Typ dokumentu

Temat

Wydawca

Publikacja

Język

Rok publikacji