Autor: "Palmour, John W." - OpacWWW

Drogi użytkowniku, aplikacja do prawidłowego działania wymaga obsługi JavaScript. Proszę włącz obsługę JavaScript w Twojej przeglądarce.

Wyszukujesz frazę ""Palmour, John W."" wg kryterium: Autor

Wyświetlanie 1-20 z 134

Zaznacz stronę

Skocz do pozycji: 1 1.

Tytuł :: Transient collector modulation of 4H–SiC BJTs during switch-on process
Autorzy :: Yuferev, Valentin S.; Pokaż więcej
Źródło :: In Solid State Electronics September 2016 123:130-132
: Czasopismo naukowe

Szczegóły

Skocz do pozycji: 2 2.

Tytuł :: Minority carrier injection and current–voltage characteristics of Schottky diodes at high injection level
Autorzy :: Mnatsakanov, Tigran T.; Pokaż więcej
Źródło :: In Solid State Electronics July 2016 121:41-46
: Czasopismo naukowe

Szczegóły

Skocz do pozycji: 3 3.

Tytuł :: Transient switch-off of a 4H-SiC bipolar transistor from the deep-saturation mode
Autorzy :: Yuferev, V. S.
Levinshtein, M. E.
Ivanov, P. A.
Zhang, Jon Q.
Palmour, John W.; Pokaż więcej
Źródło :: Semiconductors. September 2017 51(9):1194-1199
: Czasopismo naukowe

Szczegóły Pełny tekst

Skocz do pozycji: 4 4.

Tytuł :: 1/f noise in forward biased high voltage 4H-SiC Schottky diodes
Autorzy :: Shabunina, Eugenia I.; Pokaż więcej
Źródło :: In Solid State Electronics June 2014 96:44-47
: Czasopismo naukowe

Szczegóły

Skocz do pozycji: 5 5.

Tytuł :: Performance and Reliability of SiC Power MOSFETs
Autorzy :: Lichtenwalner, Daniel J.
Hull, Brett
Pala, Vipindas
Van Brunt, Edward
Ryu, Sei-Hyung
Sumakeris, Joe J.
O’Loughlin, Michael J.
Burk, Albert A.
Allen, Scott T.
Palmour, John W.; Pokaż więcej
Źródło :: MRS Advances. 1(2):81-89
: Czasopismo naukowe

Szczegóły

Skocz do pozycji: 6 6.

Tytuł :: Comparison of channel mobility and oxide properties of MOSFET devices on Si-face (0001) and A-face (11-20) 4H-SiC
Autorzy :: Lichtenwalner, Daniel J.
Cheng, Lin
Allen, Scott
Palmour, John W.
Lelis, Aivars
Scozzie, Charles; Pokaż więcej
Źródło :: MRS Online Proceedings Library. 1693(1):25-30
: Czasopismo naukowe

Szczegóły

Skocz do pozycji: 7 7.

Tytuł :: Static Performance of 20 A, 1200 V 4H-SiC Power MOSFETs at Temperatures of −187°C to 300°C
Autorzy :: Cheng, Lin
Agarwal, Anant K.
Dhar, Sarit
Ryu, Sei-Hyung
Palmour, John W.; Pokaż więcej
Źródło :: Journal of Electronic Materials. May 2012 41(5):910-914
: Czasopismo naukowe

Szczegóły

Skocz do pozycji: 8 8.

Tytuł :: Self-heating and destruction of high-voltage 4H-SiC rectifier diodes under a single short current surge pulse
Autorzy :: Levinshtein, Michael E.; Pokaż więcej
Źródło :: In Solid State Electronics November 2008 52(11):1802-1805
: Czasopismo naukowe

Szczegóły

Skocz do pozycji: 9 9.

Tytuł :: Steady state self-heating and dc current–voltage characteristics of high-voltage 4H-SiC p +–n–n + rectifier diodes
Autorzy :: Levinshtein, Michael E.; Pokaż więcej
Źródło :: In Solid State Electronics 2007 51(6):955-960
: Czasopismo naukowe

Szczegóły

Skocz do pozycji: 10 10.

Tytuł :: High power 4H–SiC pin diodes (10 kV class) with record high carrier lifetime
Autorzy :: Ivanov, Pavel A.; Pokaż więcej
Źródło :: In Solid State Electronics July-August 2006 50(7-8):1368-1370
: Czasopismo naukowe

Szczegóły

Skocz do pozycji: 11 11.

Informacja :: Dostęp do tej pozycji wymaga zalogowania się.
: Czasopismo naukowe

Szczegóły

Skocz do pozycji: 12 12.

Tytuł :: d V/d t effect in high-voltage (1.5 kV) 4H–SiC thyristors
Autorzy :: Yurkov, Sergey N.; Pokaż więcej
Źródło :: In Solid State Electronics 2005 49(12):2011-2015
: Czasopismo naukowe

Szczegóły

Skocz do pozycji: 13 13.

Tytuł :: High-temperature (up to 773 K) operation of 6-kV 4H-SiC junction diodes
Autorzy :: Levinshtein, Michael E.; Pokaż więcej
Źródło :: In Solid State Electronics 2005 49(7):1228-1232
: Czasopismo naukowe

Szczegóły

Skocz do pozycji: 14 14.

Tytuł :: On the homogeneity of the turn-on process in high-voltage 4H–SiC thyristors
Autorzy :: Levinshtein, Michael E.; Pokaż więcej
Źródło :: In Solid State Electronics 2005 49(2):233-237
: Czasopismo naukowe

Szczegóły

Skocz do pozycji: 15 15.

Informacja :: Dostęp do tej pozycji wymaga zalogowania się.
: Czasopismo naukowe

Szczegóły

Skocz do pozycji: 16 16.

Tytuł :: Steady-state and transient characteristics of 10 kV 4H-SiC diodes
Autorzy :: Levinshtein, Michael E.; Pokaż więcej
Źródło :: In Solid State Electronics 2004 48(5):807-811
: Czasopismo naukowe

Szczegóły

Skocz do pozycji: 17 17.

Tytuł :: The charged particle response of silicon carbide semiconductor radiation detectors
Autorzy :: Ruddy, Frank H.; Pokaż więcej
Źródło :: In Proceedings of the tenth Symposium on Radiation Measurements and Applications, Nuclear Inst. and Methods in Physics Research, A 1 June 2003 505(1-2):159-162
: Czasopismo naukowe

Szczegóły

Skocz do pozycji: 18 18.

Tytuł :: The critical charge concept for 4H-SiC-based thyristors
Autorzy :: Mnatsakanov, Tigran T.; Pokaż więcej
Źródło :: In Solid State Electronics 2003 47(9):1581-1587
: Czasopismo naukowe

Szczegóły

Skocz do pozycji: 19 19.

Tytuł :: The critical charge density in high voltage 4H-SiC thyristors
Autorzy :: Levinshtein, Michael E.; Pokaż więcej
Źródło :: In Solid State Electronics 2003 47(4):699-704
: Czasopismo naukowe

Szczegóły

Skocz do pozycji: 20 20.

Tytuł :: Current rise time constants in switch-on process of SiC thyristors
Autorzy :: Mnatsakanov, Tigran T; Pokaż więcej
Źródło :: In Solid State Electronics 2002 46(4):525-528
: Czasopismo naukowe

Szczegóły

Wyświetlanie 1-20 z 134

Ta witryna wykorzystuje pliki cookies do przechowywania informacji na Twoim komputerze. Pliki cookies stosujemy w celu świadczenia usług na najwyższym poziomie, w tym w sposób dostosowany do indywidualnych potrzeb. Korzystanie z witryny bez zmiany ustawień dotyczących cookies oznacza, że będą one zamieszczane w Twoim komputerze. W każdym momencie możesz dokonać zmiany ustawień dotyczących cookies

Informacja

Prolib Integro - strona głównaUniwersytet Ekonomiczny we Wrocławiu

Wyszukujesz frazę ""Palmour, John W."" wg kryterium: Autor

Źródło danych

Ogranicz do:

Ogranicz do bazy

Typ dokumentu

Temat

Wydawca

Publikacja

Język