Informacja

Drogi użytkowniku, aplikacja do prawidłowego działania wymaga obsługi JavaScript. Proszę włącz obsługę JavaScript w Twojej przeglądarce.

English (EN)·Polski (PL)·Ukraiński (UK)
Przejdź do strony domowej biblioteki Uniwersytet Ekonomiczny we Wrocławiu Link otwiera się w nowym oknie Logo biblioteki Prolib Integro - strona głównaUniwersytet Ekonomiczny we Wrocławiu

Wyszukujesz frazę ""Peaker, Anthony R."" wg kryterium: Autor

  Lista filtrów
Wyrównaj
Wyświetlanie 1-20 z 68
Tytuł:
Electric‐Field Enhancement of Electron Emission Rates for Deep‐Level Traps in n‐type GaN.
Autorzy:
Markevich, Vladimir P.
Halsall, Matthew P.
Sun, Lijie
Crowe, Iain F.
Peaker, Anthony R.
Kruszewski, Piotr
Plesiewicz, Jerzy
Prystawko, Pawel
Bulka, Sylwester
Jakiela, Rafal
Pokaż więcej
Temat:
ELECTRON emission
SECONDARY ion mass spectrometry
GALLIUM nitride
ELECTRON field emission
SCHOTTKY barrier diodes
ELECTRIC fields
Źródło:
Physica Status Solidi (B); Aug2023, Vol. 260 Issue 8, p1-7, 7p
Czasopismo naukowe
Szczegóły
Tytuł:
Electrical and Optical Defect Evaluation Techniques for Electronic and Solar Grade Silicon
Autorzy:
Peaker, Anthony R.
Markevich, Vladimir P.
Pokaż więcej
Źródło:
Defects and Impurities in Silicon Materials : An Introduction to Atomic-Level Silicon Engineering. 916:129-180
Książka elektroniczna
Szczegóły
Tytuł:
Interactions of Hydrogen Atoms with Acceptor–Dioxygen Complexes in Czochralski‐Grown Silicon.
Autorzy:
Abdul Fattah, Tarek O.
Markevich, Vladimir P.
De Guzman, Joyce Ann T.
Coutinho, José
Lastovskii, Stanislau B.
Hawkins, Ian D.
Crowe, Iain F.
Halsall, Matthew P.
Peaker, Anthony R.
Pokaż więcej
Temat:
HYDROGEN atom
AB-initio calculations
SILICON solar cells
SOLAR cells
BINDING energy
SILICON
Źródło:
Physica Status Solidi. A: Applications & Materials Science; Sep2022, Vol. 219 Issue 17, p1-11, 11p
Czasopismo naukowe
Szczegóły
Tytuł:
The Role of Si Self‐interstitial Atoms in the Formation of Electrically Active Defects in Reverse‐Biased Silicon n–p Diodes upon Irradiation with Alpha Particles.
Autorzy:
Aharodnikau, Dzmitriy A.
Lastovskii, Stanislau B.
Shpakovski, Sergei V.
Markevich, Vladimir P.
Halsall, Matthew P.
Peaker, Anthony R.
Pokaż więcej
Temat:
ALPHA rays
SILICON diodes
SPACE charge
ELECTRON emission
DEEP level transient spectroscopy
IRRADIATION
Źródło:
Physica Status Solidi. A: Applications & Materials Science; Dec2021, Vol. 218 Issue 23, p1-7, 7p
Czasopismo naukowe
Szczegóły
Wyświetlanie 1-20 z 68

Ta witryna wykorzystuje pliki cookies do przechowywania informacji na Twoim komputerze. Pliki cookies stosujemy w celu świadczenia usług na najwyższym poziomie, w tym w sposób dostosowany do indywidualnych potrzeb. Korzystanie z witryny bez zmiany ustawień dotyczących cookies oznacza, że będą one zamieszczane w Twoim komputerze. W każdym momencie możesz dokonać zmiany ustawień dotyczących cookies