Informacja

Drogi użytkowniku, aplikacja do prawidłowego działania wymaga obsługi JavaScript. Proszę włącz obsługę JavaScript w Twojej przeglądarce.

Przeglądasz jako GOŚĆ

Wyszukujesz frazę ""Pecheux, Romain"" wg kryterium: Autor


Wyświetlanie 1-2 z 2
Tytuł :
High Efficiency AlN/GaN HEMTs for Q-Band Applications with an Improved Thermal Dissipation
Autorzy :
Kabouche, Riad
Pecheux, Romain
Harrouche, Kathia
Okada, Etienne
Medjdoub, Farid
Derluyn, Joff
Degroote, Stefan
Germain, Marianne
Gucmann, Filip
Middleton, Callum
Pomeroy, James
Kuball, Martin
Pokaż więcej
Temat :
[SPI.NANO]Engineering Sciences [physics]/Micro and nanotechnologies/Microelectronics
ComputingMilieux_MISCELLANEOUS
Źródło :
International Journal of High Speed Electronics and Systems
International Journal of High Speed Electronics and Systems, World Scientific Publishing, 2019, 28 (01n02), pp.1940003. ⟨10.1142/S0129156419400032⟩
Tytuł :
High Efficiency AlN/GaN HEMTs for Q-Band Applications with an Improved Thermal Dissipation.
Autorzy :
Kabouche, Riad (AUTHOR)
Pecheux, Romain (AUTHOR)
Harrouche, Kathia (AUTHOR)
Okada, Etienne (AUTHOR)
Medjdoub, Farid (AUTHOR)
Derluyn, Joff (AUTHOR)
Degroote, Stefan (AUTHOR)
Germain, Marianne (AUTHOR)
Gucmann, Filip (AUTHOR)
Middleton, Callum (AUTHOR)
Pomeroy, James W. (AUTHOR)
Kuball, Martin (AUTHOR)
Pokaż więcej
Źródło :
International Journal of High Speed Electronics & Systems. Mar-Jun2019, Vol. 28 Issue 1/2, pN.PAG-N.PAG. 12p.
Czasopismo naukowe
    Wyświetlanie 1-2 z 2

    Ta witryna wykorzystuje pliki cookies do przechowywania informacji na Twoim komputerze. Pliki cookies stosujemy w celu świadczenia usług na najwyższym poziomie, w tym w sposób dostosowany do indywidualnych potrzeb. Korzystanie z witryny bez zmiany ustawień dotyczących cookies oznacza, że będą one zamieszczane w Twoim komputerze. W każdym momencie możesz dokonać zmiany ustawień dotyczących cookies