Informacja

Drogi użytkowniku, aplikacja do prawidłowego działania wymaga obsługi JavaScript. Proszę włącz obsługę JavaScript w Twojej przeglądarce.

Przeglądasz jako GOŚĆ

Wyszukujesz frazę ""Pensl, G."" wg kryterium: Autor


Tytuł :
Defect-engineering in SiC by ion implantation and electron irradiation
Autorzy :
Pensl, G.
Pokaż więcej
Źródło :
In The Symposium K Proceedings of the 3rd International Conference on Materials for Advanced Technologies (ICMAT 2005), Microelectronic Engineering 2006 83(1):146-149
Czasopismo naukowe
Tytuł :
Effect of the Schottky barrier height on the detection of midgap levels in 4H-SiC by deep level transient spectroscopy.
Autorzy :
Reshanov, S. A.
Pensl, G.
Danno, K.
Kimoto, T.
Hishiki, S.
Ohshima, T.
Itoh, H.
Yan, Fei
Devaty, R. P.
Choyke, W. J.
Pokaż więcej
Temat :
DEEP level transient spectroscopy
SPECTRUM analysis
SPACE charge
ELECTRIC charge
ELECTRONS
Źródło :
Journal of Applied Physics; Dec2007, Vol. 102 Issue 11, p113702, 5p, 1 Chart, 7 Graphs
Czasopismo naukowe

Ta witryna wykorzystuje pliki cookies do przechowywania informacji na Twoim komputerze. Pliki cookies stosujemy w celu świadczenia usług na najwyższym poziomie, w tym w sposób dostosowany do indywidualnych potrzeb. Korzystanie z witryny bez zmiany ustawień dotyczących cookies oznacza, że będą one zamieszczane w Twoim komputerze. W każdym momencie możesz dokonać zmiany ustawień dotyczących cookies