Autor: "Pensl, G." - OpacWWW

Skocz do pozycji: 1 1.

Tytuł :: 2 MeV ion irradiation effects on AlGaN/GaN HFET devices
Autorzy :: Sonia, G.; Pokaż więcej
Źródło :: In Solid State Electronics July 2008 52(7):1011-1017
: Czasopismo naukowe

Szczegóły

Skocz do pozycji: 2 2.

Tytuł :: Growth of cubic SiC single crystals by the physical vapor transport technique
Autorzy :: Semmelroth, K.; Pokaż więcej
Źródło :: In Journal of Crystal Growth 2007 308(2):241-246
: Czasopismo naukowe

Szczegóły

Skocz do pozycji: 3 3.

Tytuł :: Intrinsic and extrinsic point-defects in vapor transport grown ZnO bulk crystals
Autorzy :: Pfisterer, D.; Pokaż więcej
Źródło :: In Proceedings of the 23rd International Conference on Defects in Semiconductors, Physica B: Physics of Condensed Matter 2006 376:767-770
: Czasopismo naukowe

Szczegóły

Skocz do pozycji: 4 4.

Tytuł :: Defect-engineering in SiC by ion implantation and electron irradiation
Autorzy :: Pensl, G.; Pokaż więcej
Źródło :: In The Symposium K Proceedings of the 3rd International Conference on Materials for Advanced Technologies (ICMAT 2005), Microelectronic Engineering 2006 83(1):146-149
: Czasopismo naukowe

Szczegóły

Skocz do pozycji: 5 5.

Tytuł :: Properties of the oxygen vacancy in ZnO
Autorzy :: Hofmann, D.M.
Pfisterer, D.
Sann, J.
Meyer, B.K.
Tena-Zaera, R.
Munoz-Sanjose, V.
Frank, T.
Pensl, G.; Pokaż więcej
Źródło :: Applied Physics A: Materials Science & Processing. July 2007 88(1):147-151
: Czasopismo naukowe

Szczegóły Pełny tekst

Skocz do pozycji: 6 6.

Tytuł :: Energetically deep defect centers in vapor-phase grown zinc oxide
Autorzy :: Frank, T.
Pensl, G.
Tena-Zaera, R.
Zúñiga-Pérez, J.
Martínez-Tomás, C.
Muñoz-Sanjosé, V.
Ohshima, T.
Itoh, H.
Hofmann, D.
Pfisterer, D.
Sann, J.
Meyer, B.; Pokaż więcej
Źródło :: Applied Physics A: Materials Science & Processing. July 2007 88(1):141-145
: Czasopismo naukowe

Szczegóły Pełny tekst

Skocz do pozycji: 7 7.

Tytuł :: Implantation and annealing of aluminum in 4H silicon carbide
Autorzy :: Rambach, M.; Pokaż więcej
Źródło :: In Ion Implantation Technology, Nuclear Inst. and Methods in Physics Research, B August 2005 237(1-2):68-71
: Czasopismo naukowe

Szczegóły

Skocz do pozycji: 8 8.

Tytuł :: Electrically active centers in Si:Er light-emitting layers grown by sublimation molecular-beam epitaxy
Autorzy :: Shmagin, V. B.
Andreev, B. A.
Antonov, A. V.
Krasil’nik, Z. F.
Kuznetsov, V. P.
Kuznetsov, O. A.
Uskova, E. A.
Ammerlaan, C. A. J.
Pensl, G.; Pokaż więcej
Źródło :: Semiconductors. February 2002 36(2):171-175
: Czasopismo naukowe

Szczegóły Pełny tekst

Skocz do pozycji: 9 9.

Tytuł :: Physical Properties of SiC
Autorzy :: Choyke, W. J.
Pensl, G.; Pokaż więcej
Źródło :: MRS Bulletin. 22(3):25-29
: Czasopismo naukowe

Szczegóły

Skocz do pozycji: 10 10.

Tytuł :: Implantation-induced defects in silicon carbide
Autorzy :: Pensl, G
Frank, T
Krieger, M
Laube, M
Reshanov, S
Schmid, F
Weidner, M; Pokaż więcej
Źródło :: In Proceedings of the 22nd International Conference on Defects in Semiconductors, Physica B: Physics of Condensed Matter 31 December 2003 340-342:121-127
: Czasopismo naukowe

Szczegóły

Skocz do pozycji: 11 11.

Tytuł :: Deep level transient spectroscopy on radioactive impurities: Demonstration for Si:In*
Autorzy :: Lang, M.
Pensl, G.
Gebhard, M.
Achtziger, N.
Uhrmacher, M.; Pokaż więcej
Źródło :: Applied Physics A: Materials Science and Processing. August 1991 53(2):95-101
: Czasopismo naukowe

Szczegóły

Skocz do pozycji: 12 12.

Tytuł :: Boron-related deep centers in 6H-SiC
Autorzy :: Suttrop, W.
Pensl, G.
Lanig, P.; Pokaż więcej
Źródło :: Applied Physics A: Materials Science and Processing. September 1990 51(3):231-237
: Czasopismo naukowe

Szczegóły

Skocz do pozycji: 13 13.

Tytuł :: Proton trapping in SiO 2 layers thermally grown on Si and SiC
Autorzy :: Afanas’ev, V.V.; Pokaż więcej
Źródło :: In Solid State Electronics 2002 46(11):1815-1823
: Czasopismo naukowe

Szczegóły

Skocz do pozycji: 14 14.

Tytuł :: Effect of the Schottky barrier height on the detection of midgap levels in 4H-SiC by deep level transient spectroscopy.
Autorzy :: Reshanov, S. A.
Pensl, G.
Danno, K.
Kimoto, T.
Hishiki, S.
Ohshima, T.
Itoh, H.
Yan, Fei
Devaty, R. P.
Choyke, W. J.; Pokaż więcej
Temat :: DEEP level transient spectroscopy
SPECTRUM analysis
SPACE charge
ELECTRIC charge
ELECTRONS
Źródło :: Journal of Applied Physics; Dec2007, Vol. 102 Issue 11, p113702, 5p, 1 Chart, 7 Graphs
: Czasopismo naukowe

Szczegóły

Skocz do pozycji: 15 15.

Tytuł :: Electronic properties and dopant pairing behavior of manganese in boron-doped silicon.
Autorzy :: Roth, T.
Rosenits, P.
Diez, S.
Glunz, S. W.
Macdonald, D.
Beljakowa, S.
Pensl, G.; Pokaż więcej
Temat :: ELECTRIC properties of silicon
BORON
MANGANESE
DEEP level transient spectroscopy
ENERGY bands
Źródło :: Journal of Applied Physics; Nov2007, Vol. 102 Issue 10, p103716, 8p, 4 Charts, 9 Graphs
: Czasopismo naukowe

Szczegóły

Skocz do pozycji: 16 16.

Tytuł :: Identification of sulfur double donors in 4H-, 6H-, and 3C-silicon carbide.
Autorzy :: Reshanov, S. A.
Pensl, G.
Nagasawa, H.
Schöner, A.; Pokaż więcej
Temat :: IONS
SULFUR
DEEP level transient spectroscopy
ELECTRON capture
SPECTRUM analysis
PARTICLES (Nuclear physics)
Źródło :: Journal of Applied Physics; 6/15/2006, Vol. 99 Issue 12, p123717, 6p, 1 Diagram, 3 Charts, 6 Graphs
: Czasopismo naukowe

Szczegóły

Skocz do pozycji: 17 17.

Tytuł :: Diffusion of boron in silicon carbide
Autorzy :: Rüschenschmidt, K.; Pokaż więcej
Źródło :: In International Conference on Defects in Semiconductors, Physica B: Physics of Condensed Matter 2001 308:734-737
: Czasopismo naukowe

Szczegóły

Skocz do pozycji: 18 18.

Tytuł :: Electrical and optical properties of erbium-related centers in 6H silicon carbide
Autorzy :: Klettke, O; Pokaż więcej
Źródło :: In International Conference on Defects in Semiconductors, Physica B: Physics of Condensed Matter 2001 308:687-690
: Czasopismo naukowe

Szczegóły

Skocz do pozycji: 19 19.

Tytuł :: Vacancies in He-implanted 4H and 6H SiC epilayers studied by positron annihilation
Autorzy :: Kawasuso, A.; Pokaż więcej
Źródło :: In International Conference on Defects in Semiconductors, Physica B: Physics of Condensed Matter 2001 308:660-663
: Czasopismo naukowe

Szczegóły

Skocz do pozycji: 20 20.

Tytuł :: Formation and annihilation of intrinsic-related defect centers in high energy electron-irradiated or ion-implanted 4H– and 6H–silicon carbide
Autorzy :: Weidner, M.; Pokaż więcej
Źródło :: In International Conference on Defects in Semiconductors, Physica B: Physics of Condensed Matter 2001 308:633-636
: Czasopismo naukowe

Szczegóły

Informacja

Prolib Integro - strona głównaUniwersytet Ekonomiczny we Wrocławiu

Wyszukujesz frazę ""Pensl, G."" wg kryterium: Autor

Źródło danych

Ogranicz do:

Ogranicz do bazy

Typ dokumentu

Temat

Wydawca

Publikacja

Język