Autor: "Perlin, P." - OpacWWW

Drogi użytkowniku, aplikacja do prawidłowego działania wymaga obsługi JavaScript. Proszę włącz obsługę JavaScript w Twojej przeglądarce.

Wyszukujesz frazę ""Perlin, P."" wg kryterium: Autor

Wyświetlanie 1-20 z 20

Zaznacz stronę

Skocz do pozycji: 1.

Tytuł:: Dynamic Device Characteristics and Linewidth Measurement of InGaN/GaN Laser Diodes
Autorzy:: Steffan Gwyn
Scott Watson
Thomas Slight
Martin Knapp
Shaun Viola
Pavlo Ivanov
Weikang Zhang
Amit Yadav
Edik Rafailov
Mohsin Haji
Kevin E Doherty
Szymon Stanczyk
Szymon Grzanka
Piotr Perlin
Stephen P Najda
Mike Leszczyski
Anthony E Kelly; Pokaż więcej
Temat:: Gallium Nitride
distributed feedback laser diode
optical communications
Applied optics. Photonics
TA1501-1820
Optics. Light
QC350-467
Źródło:: IEEE Photonics Journal, Vol 13, Iss 1, Pp 1-10 (2021)
Opis pliku:: electronic resource
Relacje:: https://ieeexplore.ieee.org/document/9296250/; https://doaj.org/toc/1943-0655
Dostęp URL:: https://doaj.org/article/3cf4262c98ba4b4ea297255cde654272 Link otwiera się w nowym oknie

Czasopismo naukowe

na półce

Szczegóły

Skocz do pozycji: 2.

Tytuł:: Refractive Index of Heavily Germanium-Doped Gallium Nitride Measured by Spectral Reflectometry and Ellipsometry
Autorzy:: Dario Schiavon
Robert Mroczyński
Anna Kafar
Grzegorz Kamler
Iryna Levchenko
Stephen Najda
Piotr Perlin; Pokaż więcej
Temat:: gallium nitride
germanium doping
index of refraction
electron plasma
reflectometry
ellipsometry
Technology
Electrical engineering. Electronics. Nuclear engineering
TK1-9971
Engineering (General). Civil engineering (General)
TA1-2040
Microscopy
QH201-278.5
Descriptive and experimental mechanics
QC120-168.85
Źródło:: Materials, Vol 14, Iss 23, p 7364 (2021)
Opis pliku:: electronic resource
Relacje:: https://www.mdpi.com/1996-1944/14/23/7364; https://doaj.org/toc/1996-1944
Dostęp URL:: https://doaj.org/article/0a17a2709b894f66a56dd29a5bafd161 Link otwiera się w nowym oknie

Czasopismo naukowe

na półce

Pełny tekst Pełny tekst Szczegóły

Skocz do pozycji: 3.

Informacja:: Dostęp do tej pozycji wymaga zalogowania się.

Czasopismo naukowe

na półce

Szczegóły

Skocz do pozycji: 4.

Informacja:: Dostęp do tej pozycji wymaga zalogowania się.

Czasopismo naukowe

na półce

Pełny tekst Pełny tekst Szczegóły

Skocz do pozycji: 5.

Informacja:: Dostęp do tej pozycji wymaga zalogowania się.

Czasopismo naukowe

na półce

Szczegóły

Skocz do pozycji: 6.

Informacja:: Dostęp do tej pozycji wymaga zalogowania się.

Czasopismo naukowe

na półce

Szczegóły

Skocz do pozycji: 7.

Tytuł:: Tunneling current and electroluminescence in InGaN: Zn,Si/AlGaN/GaN blue light emitting diodes
Autorzy:: Eliseev, Petr G.
Perlin, Piotr
Furioli, Julien
Sartori, Philippe
Mu, Jian
Osiński, Marek; Pokaż więcej
Źródło:: Journal of Electronic Materials. March 1997 26(3):311-319

Czasopismo naukowe

na półce

Szczegóły

Skocz do pozycji: 8.

Informacja:: Dostęp do tej pozycji wymaga zalogowania się.

Czasopismo naukowe

na półce

Szczegóły

Skocz do pozycji: 9.

Informacja:: Dostęp do tej pozycji wymaga zalogowania się.

Czasopismo naukowe

na półce

Szczegóły

Skocz do pozycji: 10.

Informacja:: Dostęp do tej pozycji wymaga zalogowania się.

Czasopismo naukowe

na półce

Szczegóły

Skocz do pozycji: 11.

Tytuł:: Bulk GaN crystals grown at high pressure as substrates for blue-laser technology.
Autorzy:: R. Czernetzki
M. Leszczynski
I. Grzegory
P. Perlin
P. Prystawko
C. Skierbiszewski
M. Krysko
M. Sarzynski
P. Wisniewski
G. Nowak
A. Libura
S. Grzanka
T. Suski
L. Dmowski
E. Litwin-Staszewska
M. Bockowski
S. Porowski; Pokaż więcej
Temat:: GALLIUM nitride
CRYSTALS
ELECTRON distribution
HYDROSTATIC pressure
DIODES
EPITAXY
Źródło:: Physica Status Solidi (A); Nov2003, Vol. 200 Issue 1, p9-12, 4p

Czasopismo naukowe

na półce

Szczegóły

Skocz do pozycji: 12.

Informacja:: Dostęp do tej pozycji wymaga zalogowania się.

Czasopismo naukowe

na półce

Szczegóły

Skocz do pozycji: 13.

Informacja:: Dostęp do tej pozycji wymaga zalogowania się.

Czasopismo naukowe

na półce

Szczegóły

Skocz do pozycji: 14.

Tytuł:: Fabrication and properties of GaN-based lasers
Autorzy:: Perlin, P.
Świetlik, T.
Marona, L.
Czernecki, R.
Suski, T.
Leszczyński, M.
Grzegory, I.
Krukowski, S.
Nowak, G.
Kamler, G.
Czerwinski, A.
Plusa, M.
Bednarek, M.
Rybiński, J.
Porowski, S.; Pokaż więcej
Źródło:: Journal of Crystal Growth. Aug2008, Vol. 310 Issue 17, p3979-3982. 4p.

Czasopismo naukowe

na półce

Szczegóły

Skocz do pozycji: 15.

Informacja:: Dostęp do tej pozycji wymaga zalogowania się.

Czasopismo naukowe

na półce

Szczegóły

Skocz do pozycji: 16.

Informacja:: Dostęp do tej pozycji wymaga zalogowania się.

Czasopismo naukowe

na półce

Szczegóły

Skocz do pozycji: 17.

Informacja:: Dostęp do tej pozycji wymaga zalogowania się.

Czasopismo naukowe

na półce

Szczegóły

Skocz do pozycji: 18.

Tytuł:: Thin Film ZnO as Sublayer for Electric Contact for Bulk GaN with Low Electron Concentration.
Autorzy:: Grzanka, S.
Łuka, G.
Krajewski, T. A.
Guziewicz, E.
Jachymek, R.
Purgal, W.
Wiśniewska, R.
Sarzyńska, A.
Bering-Staniszewska, A.
Godlewski, M.
Perlin, P.; Pokaż więcej
Źródło:: Acta Physica Polonica: A. May2011, Vol. 119 Issue 5, p672-674. 3p. 1 Diagram, 3 Graphs.

Czasopismo naukowe

na półce

Pełny tekst Szczegóły

Skocz do pozycji: 19.

Tytuł:: MBE fabrication of III-N-based laser diodes and its development to industrial system.
Autorzy:: Skierbiszewski, C.
Siekacz, M.
Turski, H.
Muziol, G.
Sawicka, M.
Perlin, P.
Wasilewski, Z.R.
Porowski, S.; Pokaż więcej
Źródło:: Journal of Crystal Growth. Sep2013, Vol. 378, p278-282. 5p.

Czasopismo naukowe

na półce

Szczegóły

Skocz do pozycji: 20.

Tytuł:: Bulk GaN crystal growth by the high-pressure ammonothermal method
Autorzy:: D’Evelyn, M.P.
Hong, H.C.
Park, D.-S.
Lu, H.
Kaminsky, E.
Melkote, R.R.
Perlin, P.
Lesczynski, M.
Porowski, S.
Molnar, R.J.; Pokaż więcej
Źródło:: Journal of Crystal Growth. Mar2007, Vol. 300 Issue 1, p11-16. 6p.

Czasopismo naukowe

na półce

Szczegóły

Wyświetlanie 1-20 z 20

Ta witryna wykorzystuje pliki cookies do przechowywania informacji na Twoim komputerze. Pliki cookies stosujemy w celu świadczenia usług na najwyższym poziomie, w tym w sposób dostosowany do indywidualnych potrzeb. Korzystanie z witryny bez zmiany ustawień dotyczących cookies oznacza, że będą one zamieszczane w Twoim komputerze. W każdym momencie możesz dokonać zmiany ustawień dotyczących cookies

Informacja

Wyszukujesz frazę ""Perlin, P."" wg kryterium: Autor

Źródło danych

Ogranicz do:

Ogranicz do bazy

Typ dokumentu

Temat

Wydawca

Publikacja

Język

Rok publikacji