Autor: "Petrov, V." - OpacWWW

Skocz do pozycji: 1.

Tytuł:: Modification in Adsorption Properties of Graphene During the Development of Viral Biosensors
Autorzy:: Eliseev, I. A.
Gushchina, E. A.
Klotchenko, S. A.
Lebedev, A. A.
Lebedeva, N. M.
Lebedev, S. P.
Nashchekin, A. V.
Petrov, V. N.
Puzyk, M. V.
Roenkov, A. D.
Smirnov, A. N.
Tanklevskaya, E. M.
Usikov, A. S.Aff4, Aff5
Shabunina, E. I.
Schmidt, N. M.Aff1, IDS1063782623080031_cor15; Pokaż więcej
Źródło:: Semiconductors. 57(12):524-530

Czasopismo naukowe

na półce

Szczegóły

Skocz do pozycji: 2.

Tytuł:: Diversity of Properties of Device Structures Based on Group-III Nitrides, Related to Modification of the Fractal-Percolation System
Autorzy:: Emtsev, V. V.
Gushchina, E. V.
Petrov, V. N.
Tal’nishnih, N. A.
Chernyakov, A. E.
Shabunina, E. I.
Shmidt, N. M.
Usikov, A. S.
Kartashova, A. P.
Zybin, A. A.
Kozlovski, V. V.
Kudoyarov, M. F.
Saharov, A. V.
Oganesyan, A. G.
Poloskin, D. S.
Lundin, V. V.; Pokaż więcej
Źródło:: Semiconductors. 52(7):942-949

Czasopismo naukowe

na półce

Pełny tekst Szczegóły

Skocz do pozycji: 3.

Tytuł:: On the morphology of the interlayer surface and micro-Raman spectra of layered films in topological insulators based on bismuth telluride
Autorzy:: Lukyanova, L. N.
Bibik, A. Yu.
Aseev, V. A.
Usov, O. A.
Makarenko, I. V.
Petrov, V. N.
Nikonorov, N. V.; Pokaż więcej
Źródło:: Semiconductors. June 2017 51(6):729-731

Czasopismo naukowe

na półce

Pełny tekst Szczegóły

Skocz do pozycji: 4.

Tytuł:: On the fractal nature of light-emitting structures based on III–N nanomaterials and related phenomena
Autorzy:: Petrov, V. N.
Sidorov, V. G.
Talnishnikh, N. A.
Chernyakov, A. E.
Shabunina, E. I.
Shmidt, N. M.
Usikov, A. S.
Helava, H.
Makarov, Yu. N.; Pokaż więcej
Źródło:: Semiconductors. September 2016 50(9):1173-1179

Czasopismo naukowe

na półce

Pełny tekst Szczegóły

Skocz do pozycji: 5.

Tytuł:: Effect of self-organization, defects, impurities, and autocatalytic processes on the parameters of ZnO films and nanorods
Autorzy:: Mezdrogina, M. M.
Eremenko, M. V.
Levitskii, V. S.
Petrov, V. N.
Terukov, E. I.
Kaidashev, E. M.
Langusov, N. V.; Pokaż więcej
Źródło:: Semiconductors. November 2015 49(11):1473-1482

Czasopismo naukowe

na półce

Pełny tekst Szczegóły

Skocz do pozycji: 6.

Tytuł:: Emission intensity of the λ = 1.54 μm line in ZnO films grown by magnetron sputtering, diffusion doped with Ce, Yb, Er
Autorzy:: Mezdrogina, M. M.
Eremenko, M. V.
Smirnov, A. N.
Petrov, V. N.
Terukov, E. I.; Pokaż więcej
Źródło:: Semiconductors. August 2015 49(8):992-999

Czasopismo naukowe

na półce

Pełny tekst Szczegóły

Skocz do pozycji: 7.

Tytuł:: Formation of structures with noncatalytic CdTe nanowires
Autorzy:: Soshnikov, I. P.
Petrov, V. A.
Proskuryakov, Y. Y.
Kudryashov, D. A.
Nashchekin, A. V.
Cirlin, G. E.
Treharne, R.
Durose, K.; Pokaż więcej
Źródło:: Semiconductors. July 2013 47(7):875-878

Czasopismo naukowe

na półce

Pełny tekst Szczegóły

Skocz do pozycji: 8.

Tytuł:: Low-frequency noise in as-fabricated and degraded blue InGaAs/GaN LEDs
Autorzy:: Zakheim, A. L.
Levinshtein, M. E.
Petrov, V. P.
Chernyakov, A. E.
Shabunina, E. I.
Shmidt, N. M.; Pokaż więcej
Źródło:: Semiconductors. February 2012 46(2):208-212

Czasopismo naukowe

na półce

Pełny tekst Szczegóły

Skocz do pozycji: 9.

Tytuł:: Fabrication of ordered GaAs nanowhiskers using electron-beam lithography
Autorzy:: Soshnikov, I. P.
Afanas’ev, D. E.
Cirlin, G. E.
Petrov, V. A.
Tanklevskaya, E. M.
Samsonenko, Yu. B.
Bouravlev, A. D.
Khrebtov, A. I.
Ustinov, V. M.; Pokaż więcej
Źródło:: Semiconductors. June 2011 45(6):822-827

Czasopismo naukowe

na półce

Pełny tekst Szczegóły

Skocz do pozycji: 10.

Tytuł:: Low-temperature transport properties of multigraphene films grown on the SiC surface by sublimation
Autorzy:: Lebedev, A. A.
Agrinskaya, N. V.
Lebedev, S. P.
Mynbaeva, M. G.
Petrov, V. N.
Smirnov, A. N.
Strel’chuk, A. M.
Titkov, A. N.
Shamshur, D. V.; Pokaż więcej
Źródło:: Semiconductors. May 2011 45(5):623-627

Czasopismo naukowe

na półce

Pełny tekst Szczegóły

Skocz do pozycji: 11.

Tytuł:: Properties of GaAsN nanowires grown by magnetron-sputtering deposition
Autorzy:: Soshnikov, I. P.
Cirlin, G. E.
Nadtochii, A. M.
Dubrovskii, V. G.
Bukin, M. A.
Petrov, V. A.
Busov, V. M.
Troshkov, S. I.; Pokaż więcej
Źródło:: Semiconductors. July 2009 43(7):906-910

Czasopismo naukowe

na półce

Pełny tekst Szczegóły

Skocz do pozycji: 12.

Tytuł:: Anisotropy of the relaxation of the electron spin caused by competition of the Rashba and Dresselhaus mechanisms
Autorzy:: Smirnov, A. M.
Oseptsova, V. A.
Platonov, A. V.
Gurevich, A. S.
Kochereshko, V. P.
Shkolnik, A. S.
Evtikhiev, V. P.
Petrov, V. V.
Dolgikh, Yu. K.
Efimov, Yu. P.
Eliseev, S. A.; Pokaż więcej
Źródło:: Semiconductors. July 2009 43(7):901-905

Czasopismo naukowe

na półce

Pełny tekst Szczegóły

Skocz do pozycji: 13.

Tytuł:: Mechanisms of doping and the intensity of emission from intracenter f-f transitions in the doping Eu impurity in structures with In x Ga1 − x N/GaN quantum wells
Autorzy:: Mezdrogina, M. M.
Krivolapchuk, V. V.
Petrov, V. N.
Kozhanova, Yu. V.
Danilovski, E. Yu.
Kuz’min, R. V.; Pokaż więcej
Źródło:: Semiconductors. April 2009 43(4):447-457

Czasopismo naukowe

na półce

Pełny tekst Szczegóły

Skocz do pozycji: 14.

Tytuł:: Mathematical simulation of the distribution of minority charge carriers generated in a multilayer semiconducting structure by a wide electron beam
Autorzy:: Burylova, I. V.
Petrov, V. I.
Snopova, M. G.
Stepovich, M. A.; Pokaż więcej
Źródło:: Semiconductors. April 2007 41(4):444-447

Czasopismo naukowe

na półce

Pełny tekst Szczegóły

Skocz do pozycji: 15.

Tytuł:: Effect of additionally introduced Zn and Eu dopants on the photoluminescence spectra of Er-Doped GaN crystals
Autorzy:: Mezdrogina, M. M.
Krivolapchuk, V. V.
Petrov, V. N.
Rodin, S. N.
Cherenkov, A. V.; Pokaż więcej
Źródło:: Semiconductors. December 2006 40(12):1378-1385

Czasopismo naukowe

na półce

Pełny tekst Szczegóły

Skocz do pozycji: 16.

Tytuł:: The formation of natural oxide on the mirrors of GaSb/GaInAsSb/GaAlAsSb laser heterostructures at places of emergence of al-rich layers
Autorzy:: Dement’ev, P. A.
Dunaevskiĭ, M. S.
Makarenko, I. V.
Petrov, V. N.
Titkov, A. N.
Baranov, A. N.
Yarekha, D. A.
Laiho, R.; Pokaż więcej
Źródło:: Semiconductors. November 2006 40(11):1247-1254

Czasopismo naukowe

na półce

Pełny tekst Szczegóły

Skocz do pozycji: 17.

Tytuł:: Electric-field-controlled effects of spatial recurrence and multiplication of electron waves in two-dimensional semiconductor nanostructures
Autorzy:: Petrov, V. A.
Nikitin, A. V.; Pokaż więcej
Źródło:: Semiconductors. August 2006 40(8):949-958

Czasopismo naukowe

na półce

Pełny tekst Szczegóły

Skocz do pozycji: 18.

Tytuł:: Studies of physical phenomena in semiconductor nanostructures using samples with laterally nonuniform layers. Photoluminescence of structures with n-type δ-doped layers
Autorzy:: Khabarov, Yu. V.
Kapaev, V. V.
Petrov, V. A.
Galiev, G. B.; Pokaż więcej
Źródło:: Semiconductors. May 2006 40(5):558-569

Czasopismo naukowe

na półce

Pełny tekst Szczegóły

Skocz do pozycji: 19.

Tytuł:: Effects of spatial reproduction as a result of the interference of electron waves in two-dimensional semiconductor nanostructures with parabolic quantum wells
Autorzy:: Petrov, V. A.
Nikitin, A. V.; Pokaż więcej
Źródło:: Semiconductors. April 2005 39(4):412-420

Czasopismo naukowe

na półce

Pełny tekst Szczegóły

Skocz do pozycji: 20.

Tytuł:: Studies of physical phenomena in semiconductor nanostructures using samples with laterally nonuniform layers: Photoluminescence of tunneling-coupled quantum wells
Autorzy:: Khabarov, Yu. V.
Kapaev, V. V.
Petrov, V. A.; Pokaż więcej
Źródło:: Semiconductors. April 2004 38(4):437-446

Czasopismo naukowe

na półce

Pełny tekst Szczegóły

Informacja

Wyszukujesz frazę ""Petrov, V."" wg kryterium: Autor

Źródło danych

Ogranicz do:

Ogranicz do bazy

Typ dokumentu

Temat

Wydawca

Język

Rok publikacji