- Tytuł:
- Structure and electronic properties of the 3C-SiC/SiGeC/Si(100) heterojunction formed by the vacuum chemical epitaxy method
- Autorzy:
- Źródło:
-
Journal of Structural Chemistry . November 2014 55(6):1180-1189
Czasopismo naukowe
Drogi użytkowniku, aplikacja do prawidłowego działania wymaga obsługi JavaScript. Proszę włącz obsługę JavaScript w Twojej przeglądarce.