Informacja

Drogi użytkowniku, aplikacja do prawidłowego działania wymaga obsługi JavaScript. Proszę włącz obsługę JavaScript w Twojej przeglądarce.

Przeglądasz jako GOŚĆ

Wyszukujesz frazę ""Poisson, M."" wg kryterium: Autor


Tytuł :
Effects of buffer compensation strategies on the electrical performance and RF reliability of AlGaN/GaN HEMTs
Autorzy :
Bisi, D.
Pokaż więcej
Źródło :
In Proceedings of the 26th European Symposium on Reliability of Electron Devices, Failure Physics and Analysis, Microelectronics Reliability August-September 2015 55(9-10):1662-1666
Czasopismo naukowe
Tytuł :
Influence of processing and annealing steps on electrical properties of InAlN/GaN high electron mobility transistor with Al 2O 3 gate insulation and passivation
Autorzy :
Čičo, K.
Pokaż więcej
Źródło :
In Solid State Electronics 2012 67(1):74-78
Czasopismo naukowe

Ta witryna wykorzystuje pliki cookies do przechowywania informacji na Twoim komputerze. Pliki cookies stosujemy w celu świadczenia usług na najwyższym poziomie, w tym w sposób dostosowany do indywidualnych potrzeb. Korzystanie z witryny bez zmiany ustawień dotyczących cookies oznacza, że będą one zamieszczane w Twoim komputerze. W każdym momencie możesz dokonać zmiany ustawień dotyczących cookies