Informacja

Drogi użytkowniku, aplikacja do prawidłowego działania wymaga obsługi JavaScript. Proszę włącz obsługę JavaScript w Twojej przeglądarce.

Przeglądasz jako GOŚĆ

Wyszukujesz frazę ""Porowski, S."" wg kryterium: Autor


Tytuł :
Near Defect Free GaN Substrates
Autorzy :
Porowski, S.
Pokaż więcej
Źródło :
MRS Internet Journal of Nitride Semiconductor Research. 4(Suppl 1):27-37
Czasopismo naukowe
Tytuł :
Optically pumped 500 nm InGaN green lasers grown by plasma-assisted molecular beam epitaxy.
Autorzy :
Siekacz, M.
Sawicka, M.
Turski, H.
Cywinski, G.
Khachapuridze, A.
Perlin, P.
Suski, T.
Bockowski, M.
Smalc-Koziorowska, J.
Krysko, M.
Kudrawiec, R.
Syperek, M.
Misiewicz, J.
Wasilewski, Z.
Porowski, S.
Skierbiszewski, C.
Pokaż więcej
Temat :
INDIUM compounds
GALLIUM nitride
MOLECULAR beam epitaxy
NITROGEN
PIEZOELECTRIC materials research
Źródło :
Journal of Applied Physics; Sep2011, Vol. 110 Issue 6, p063110, 7p
Czasopismo naukowe

Ta witryna wykorzystuje pliki cookies do przechowywania informacji na Twoim komputerze. Pliki cookies stosujemy w celu świadczenia usług na najwyższym poziomie, w tym w sposób dostosowany do indywidualnych potrzeb. Korzystanie z witryny bez zmiany ustawień dotyczących cookies oznacza, że będą one zamieszczane w Twoim komputerze. W każdym momencie możesz dokonać zmiany ustawień dotyczących cookies