Informacja

Drogi użytkowniku, aplikacja do prawidłowego działania wymaga obsługi JavaScript. Proszę włącz obsługę JavaScript w Twojej przeglądarce.

English (EN)·Polski (PL)·Ukraiński (UK)
Przejdź do strony domowej biblioteki Uniwersytet Ekonomiczny we Wrocławiu Link otwiera się w nowym oknie Logo biblioteki Prolib Integro - strona głównaUniwersytet Ekonomiczny we Wrocławiu

Wyszukujesz frazę ""Prestigiacomo, JC"" wg kryterium: Autor

  Lista filtrów
Wyrównaj
    Wyświetlanie 1-3 z 3
    Tytuł:
    Determining the nature of the gap in semiconducting graphene.
    Autorzy:
    Prestigiacomo JC; Naval Research Laboratory, Washington, DC, USA.
    Nath A; George Mason University, Fairfax, VA, USA.
    Osofsky MS; Naval Research Laboratory, Washington, DC, USA.
    Hernández SC; Naval Research Laboratory, Washington, DC, USA.
    Wheeler VD; Naval Research Laboratory, Washington, DC, USA.
    Walton SG; Naval Research Laboratory, Washington, DC, USA.
    Gaskill DK; Naval Research Laboratory, Washington, DC, USA.
    Pokaż więcej
    Źródło:
    Scientific reports [Sci Rep] 2017 Feb 09; Vol. 7, pp. 41713. Date of Electronic Publication: 2017 Feb 09.
    Typ publikacji:
    Journal Article; Research Support, U.S. Gov't, Non-P.H.S.
    Czasopismo naukowe
    Pełny tekst  Link otwiera się w nowym oknieSzczegóły
    Tytuł:
    Enhanced superconductivity in aluminum-based hyperbolic metamaterials.
    Autorzy:
    Smolyaninova VN; Department of Physics Astronomy and Geosciences, Towson University, 8000 York Rd., Towson, MD 21252, USA.
    Jensen C; Department of Physics Astronomy and Geosciences, Towson University, 8000 York Rd., Towson, MD 21252, USA.
    Zimmerman W; Department of Physics Astronomy and Geosciences, Towson University, 8000 York Rd., Towson, MD 21252, USA.
    Prestigiacomo JC; Naval Research Laboratory, Washington, DC 20375, USA.
    Osofsky MS; Naval Research Laboratory, Washington, DC 20375, USA.
    Kim H; Naval Research Laboratory, Washington, DC 20375, USA.
    Bassim N; Naval Research Laboratory, Washington, DC 20375, USA.
    Xing Z; Department of Physics, College of William and Mary, Williamsburg, Virginia 23187-8795, USA.
    Qazilbash MM; Department of Physics, College of William and Mary, Williamsburg, Virginia 23187-8795, USA.
    Smolyaninov II; Department of Electrical and Computer Engineering, University of Maryland, College Park, MD 20742, USA.
    Pokaż więcej
    Źródło:
    Scientific reports [Sci Rep] 2016 Sep 23; Vol. 6, pp. 34140. Date of Electronic Publication: 2016 Sep 23.
    Typ publikacji:
    Journal Article
    Czasopismo naukowe
    Pełny tekst  Link otwiera się w nowym oknieSzczegóły
    Tytuł:
    Using metamaterial nanoengineering to triple the superconducting critical temperature of bulk aluminum.
    Autorzy:
    Smolyaninova VN; Department of Physics Astronomy and Geosciences, Towson University, 8000 York Rd., Towson, MD 21252, USA.
    Zander K; Department of Physics Astronomy and Geosciences, Towson University, 8000 York Rd., Towson, MD 21252, USA.
    Gresock T; Department of Physics Astronomy and Geosciences, Towson University, 8000 York Rd., Towson, MD 21252, USA.
    Jensen C; Department of Physics Astronomy and Geosciences, Towson University, 8000 York Rd., Towson, MD 21252, USA.
    Prestigiacomo JC; Naval Research Laboratory, Washington, DC 20375, USA.
    Osofsky MS; Naval Research Laboratory, Washington, DC 20375, USA.
    Smolyaninov II; Department of Electrical and Computer Engineering, University of Maryland, College Park, MD 20742, USA.
    Pokaż więcej
    Źródło:
    Scientific reports [Sci Rep] 2015 Nov 02; Vol. 5, pp. 15777. Date of Electronic Publication: 2015 Nov 02.
    Typ publikacji:
    Journal Article; Research Support, U.S. Gov't, Non-P.H.S.
    Czasopismo naukowe
    Pełny tekst  Link otwiera się w nowym oknieSzczegóły
      Wyświetlanie 1-3 z 3

      Ta witryna wykorzystuje pliki cookies do przechowywania informacji na Twoim komputerze. Pliki cookies stosujemy w celu świadczenia usług na najwyższym poziomie, w tym w sposób dostosowany do indywidualnych potrzeb. Korzystanie z witryny bez zmiany ustawień dotyczących cookies oznacza, że będą one zamieszczane w Twoim komputerze. W każdym momencie możesz dokonać zmiany ustawień dotyczących cookies