- Tytuł:
- GaN power converter and high-side IC substrate issues on Si, p-n junction, or SOI
- Autorzy:
- Temat:
-
Gallium nitride
Substrates
Power integrated circuits
HEMTs
Half-bridges
Power converters
Electrical engineering. Electronics. Nuclear engineering
TK1-9971 - Źródło:
- e-Prime: Advances in Electrical Engineering, Electronics and Energy, Vol 4, Iss , Pp 100171- (2023)
- Opis pliku:
- electronic resource
- Relacje:
- http://www.sciencedirect.com/science/article/pii/S2772671123000669; https://doaj.org/toc/2772-6711
- Dostęp URL:
- https://doaj.org/article/c17f0a3ec7564c29bf3e6c22c182473b  Link otwiera się w nowym oknie
Czasopismo naukowe