Informacja

Drogi użytkowniku, aplikacja do prawidłowego działania wymaga obsługi JavaScript. Proszę włącz obsługę JavaScript w Twojej przeglądarce.

Przeglądasz jako GOŚĆ

Wyszukujesz frazę ""RANDOM access memory"" wg kryterium: Temat


Tytuł :
Improving Performance by Inserting an Indium Oxide Layer as an Oxygen Ion Storage Layer in HfO₂-Based Resistive Random Access Memory.
Autorzy :
Lin, Shih-Kai
Wu, Cheng-Hsien
Chang, Ting-Chang
Lien, Chen-Hsin
Yang, Chih-Cheng
Chen, Wen-Chung
Lin, Chun-Chu
Huang, Wei-Chen
Tan, Yung-Fang
Wu, Pei-Yu
Zhang, Yong-Ci
Sun, Li-Chuan
Sze, Simon M.
Pokaż więcej
Źródło :
IEEE Transactions on Electron Devices. Mar2021, Vol. 68 Issue 3, p1037-1040. 4p.
Czasopismo naukowe

Ta witryna wykorzystuje pliki cookies do przechowywania informacji na Twoim komputerze. Pliki cookies stosujemy w celu świadczenia usług na najwyższym poziomie, w tym w sposób dostosowany do indywidualnych potrzeb. Korzystanie z witryny bez zmiany ustawień dotyczących cookies oznacza, że będą one zamieszczane w Twoim komputerze. W każdym momencie możesz dokonać zmiany ustawień dotyczących cookies