Autor: "Reddy, V" - OpacWWW

Drogi użytkowniku, aplikacja do prawidłowego działania wymaga obsługi JavaScript. Proszę włącz obsługę JavaScript w Twojej przeglądarce.

Wyszukujesz frazę ""Reddy, V"" wg kryterium: Autor

Wyświetlanie 1-12 z 12

Zaznacz stronę

Skocz do pozycji: 1.

Tytuł:: Structure, optical, magnetic, morphology and dielectric studies of pristine and green synthesized hematite nanoparticles
Autorzy:: Sarkar, Toton
Kundu, Sani
Ghorai, Gurupada
Sahoo, Pratap Kumar
Reddy, V. Raghavendra
Bhattacharjee, AshisAff1, IDs00339023072282_cor6; Pokaż więcej
Źródło:: Applied Physics A: Materials Science & Processing. 130(2)

Czasopismo naukowe

na półce

Szczegóły

Skocz do pozycji: 2.

Tytuł:: Study on co-precursor driven solid state thermal conversion of iron(III)citrate to iron oxide nanomaterials
Autorzy:: Kundu, S.
Sarkar, T.
Ghorai, G.
Zubko, M.Aff3, Aff4
Sahoo, P. K.
Weselski, M.
Reddy, V. Raghavendra
Bhattacharjee, A.Aff1, IDs00339023065594_cor8; Pokaż więcej
Źródło:: Applied Physics A: Materials Science & Processing. 129(4)

Czasopismo naukowe

na półce

Pełny tekst Pełny tekst Szczegóły

Skocz do pozycji: 3.

Tytuł:: Effects of Rapid Thermal Annealing on the Structural, Optical, and Electrical Properties of Au/CuPc/n-Si (MPS)-type Schottky Barrier Diodes
Autorzy:: Sekhar Reddy, P. R.Aff1, Aff2
Janardhanam, V.
Rajagopal Reddy, V.
Park, Min Hyuk
Choi, Chel-Jong; Pokaż więcej
Źródło:: Applied Physics A: Materials Science & Processing. 127(10)

Czasopismo naukowe

na półce

Pełny tekst Pełny tekst Szczegóły

Skocz do pozycji: 4.

Tytuł:: Effect of Temperature on the Electrical and Current Transport Properties of Au/Nd2O3/n-GaN Metal/Interlayer/Semiconductor (MIS) Junction
Autorzy:: Reddy, M. Siva Pratap
Park, Herie
Reddy, V. Rajagopal; Pokaż więcej
Źródło:: Applied Physics A: Materials Science & Processing. 127(2)

Czasopismo naukowe

na półce

Pełny tekst Pełny tekst Szczegóły

Skocz do pozycji: 5.

Tytuł:: Electrical and carrier transport properties of the Au/Y2O3/n-GaN metal-insulator-semiconductor (MIS) diode with rare-earth oxide interlayer
Autorzy:: Venkata Prasad, C.
Rajagopal Reddy, V.
Choi, Chel-Jong; Pokaż więcej
Źródło:: Applied Physics A: Materials Science & Processing. April 2017 123(4):1-10

Czasopismo naukowe

na półce

Pełny tekst Szczegóły

Skocz do pozycji: 6.

Tytuł:: Electrical properties and transport mechanisms of Au/Ba0.6Sr0.4TiO3/GaN metal–insulator–semiconductor (MIS) diode at high temperature range
Autorzy:: Rajagopal Reddy, V.; Pokaż więcej
Źródło:: Applied Physics A: Materials Science & Processing. May 2016 122(5):1-7

Czasopismo naukowe

na półce

Szczegóły

Skocz do pozycji: 7.

Tytuł:: Thickness-dependent multiferroic behavior of BiFe0.75Cr0.25O3 films over Pt(111)/Ti/SiO2/Si substrate
Autorzy:: William, R. V.
Sivaprakash, P.
Marikani, A.
Reddy, V. Raghavendra
Arumugam, S.; Pokaż więcej
Źródło:: Applied Physics A: Materials Science & Processing. 124(2)

Czasopismo naukowe

na półce

Pełny tekst Pełny tekst Szczegóły

Skocz do pozycji: 8.

Tytuł:: Effect of copper phthalocyanine thickness on surface morphology, optical and electrical properties of Au/CuPc/n-Si heterojunction
Autorzy:: Reddy, P. R. Sekhar
Janardhanam, V.
Jyothi, I.
Harsha, Cirandur Sri
Reddy, V. Rajagopal
Lee, Sung-Nam
Won, Jonghan
Choi, Chel-Jong; Pokaż więcej
Źródło:: Applied Physics A: Materials Science & Processing. 124(2)

Czasopismo naukowe

na półce

Pełny tekst Pełny tekst Szczegóły

Skocz do pozycji: 9.

Tytuł:: Suitability of laser-induced breakdown spectroscopy in screening potential additives to mitigate fouling deposits
Autorzy:: Balakrishnan, S.
Midhun Reddy, V.
Mehta, A.
Vasa, N. J.
Nagarajan, R.; Pokaż więcej
Źródło:: Applied Physics A: Materials Science & Processing. April 2016 122(4):1-7

Czasopismo naukowe

na półce

Pełny tekst Szczegóły

Skocz do pozycji: 10.

Tytuł:: Annealing effects on the electrical, structural and morphological properties of Ti/p-GaN/Ni/Au Schottky diode
Autorzy:: Nagaraju, G.
Rao, L. Dasaradha
Reddy, V. Rajagopal; Pokaż więcej
Źródło:: Applied Physics A: Materials Science & Processing. October 2015 121(1):131-140

Czasopismo naukowe

na półce

Pełny tekst Szczegóły

Skocz do pozycji: 11.

Tytuł:: Electrical properties and conduction mechanism of an organic-modified Au/NiPc/n-InP Schottky barrier diode
Autorzy:: Rajagopal Reddy, V.; Pokaż więcej
Źródło:: Applied Physics A: Materials Science & Processing. September 2014 116(3):1379-1387

Czasopismo naukowe

na półce

Pełny tekst Szczegóły

Skocz do pozycji: 12.

Tytuł:: Effect of annealing temperature on the electrical properties of Au/Ta2O5/n-GaN metal–insulator–semiconductor (MIS) structure
Autorzy:: Prasanna Lakshmi, B.
Rajagopal Reddy, V.
Janardhanam, V.
Siva Pratap Reddy, M.
Lee, Jung-Hee; Pokaż więcej
Źródło:: Applied Physics A: Materials Science & Processing. November 2013 113(3):713-722

Czasopismo naukowe

na półce

Pełny tekst Szczegóły

Wyświetlanie 1-12 z 12

Ta witryna wykorzystuje pliki cookies do przechowywania informacji na Twoim komputerze. Pliki cookies stosujemy w celu świadczenia usług na najwyższym poziomie, w tym w sposób dostosowany do indywidualnych potrzeb. Korzystanie z witryny bez zmiany ustawień dotyczących cookies oznacza, że będą one zamieszczane w Twoim komputerze. W każdym momencie możesz dokonać zmiany ustawień dotyczących cookies

Informacja

Wyszukujesz frazę ""Reddy, V"" wg kryterium: Autor

Źródło danych

Ogranicz do:

Ogranicz do bazy

Typ dokumentu

Temat

Język