Informacja

Drogi użytkowniku, aplikacja do prawidłowego działania wymaga obsługi JavaScript. Proszę włącz obsługę JavaScript w Twojej przeglądarce.

Przeglądasz jako GOŚĆ

Wyszukujesz frazę ""Remmele, T."" wg kryterium: Autor


Tytuł :
Evolution of planar defects during homoepitaxial growth of β-Ga2O3 layers on (100) substrates—A quantitative model.
Autorzy :
Schewski, R.
Baldini, M.
Irmscher, K.
Fiedler, A.
Markurt, T.
Neuschulz, B.
Remmele, T.
Schulz, T.
Wagner, G.
Galazka, Z.
Albrecht, M.
Pokaż więcej
Temat :
HOMOEPITAXY
METAL organic chemical vapor deposition
ATOMIC force microscopy
NUCLEATION
ADATOMS
GALLIUM compounds
Źródło :
Journal of Applied Physics; 2016, Vol. 120 Issue 22, p225308-1-225308-8, 8p, 4 Diagrams, 1 Chart, 2 Graphs
Czasopismo naukowe
Tytuł :
Separating strain from composition in unit cell parameter maps obtained from aberration corrected high resolution transmission electron microscopy imaging.
Autorzy :
Schulz, T.
Duff, A.
Remmele, T.
Korytov, M.
Markurt, T.
Albrecht, M.
Lymperakis, L.
Neugebauer, J.
Chèze, C.
Skierbiszewski, C.
Pokaż więcej
Temat :
ALLOYS
LATTICE constants
TRANSMISSION electron microscopy
QUANTUM dots
QUANTUM electronics
Źródło :
Journal of Applied Physics; 2014, Vol. 115 Issue 3, p1-9, 9p
Czasopismo naukowe
Tytuł :
GaN/AlN short-period superlattices for intersubband optoelectronics: A systematic study of their epitaxial growth, design, and performance.
Autorzy :
Kandaswamy, P. K.
Guillot, F.
Bellet-Amalric, E.
Monroy, E.
Nevou, L.
Tchernycheva, M.
Michon, A.
Julien, F. H.
Baumann, E.
Giorgetta, F. R.
Hofstetter, D.
Remmele, T.
Albrecht, M.
Birner, S.
Dang, Le Si
Pokaż więcej
Temat :
SUPERLATTICES
OPTOELECTRONICS
EPITAXY
SUBSTRATES (Materials science)
ABSORPTION spectra
ELECTRIC fields
QUANTUM wells
ABSORPTION
Źródło :
Journal of Applied Physics; Nov2008, Vol. 104 Issue 9, p093501, 16p, 4 Diagrams, 6 Charts, 16 Graphs
Czasopismo naukowe
Tytuł :
Si-doped GaN/AlN quantum dot superlattices for optoelectronics at telecommunication wavelengths.
Autorzy :
Guillot, F.
Bellet-Amalric, E.
Monroy, E.
Tchernycheva, M.
Nevou, L.
Doyennette, L.
Julien, F. H.
Dang, Le Si
Remmele, T.
Albrecht, M.
Shibata, T.
Tanaka, M.
Pokaż więcej
Temat :
DOPED semiconductors
QUANTUM dots
SUPERLATTICES
OPTOELECTRONICS
SPECTRUM analysis
Źródło :
Journal of Applied Physics; 8/15/2006, Vol. 100 Issue 4, p044326, 10p, 2 Color Photographs, 1 Black and White Photograph, 6 Charts, 8 Graphs
Czasopismo naukowe
Tytuł :
Ultraviolet light-emitting diodes grown by plasma-assisted molecular beam epitaxy on semipolar GaN [formula] substrates.
Autorzy :
Sawicka, M.
Chèze, C.
Turski, H.
Muziol, G.
Grzanka, S.
Hauswald, C.
Brandt, O.
Siekacz, M.
Kucharski, R.
Remmele, T.
Albrecht, M.
Krysko, M.
Grzanka, E.
Sochacki, T.
Skierbiszewski, C.
Pokaż więcej
Temat :
LIGHT emitting diodes
MOLECULAR beam epitaxy
QUANTUM wells
OPTOELECTRONIC devices
EPITAXY
Źródło :
Applied Physics Letters; 3/18/2013, Vol. 102 Issue 11, p111107, 4p, 1 Color Photograph, 2 Charts, 3 Graphs
Czasopismo naukowe
Tytuł :
Growth and characterization of AlInN/GaInN quantum wells for high-speed intersubband devices at telecommunication wavelengths.
Autorzy :
Skierbiszewski, C.
Cywiński, G.
Siekacz, M.
Feduniewicz-Zmuda, A.
Nevou, L.
Doyennette, L.
Tchernycheva, M.
Julien, F. H.
Smalc, J.
Prystawko, P.
Kryśko, M.
Grzanka, S.
Grzegory, I.
Domagała, J. Z.
Remmele, T.
Albrecht, M.
Porowski, S.
Pokaż więcej
Źródło :
Proceedings of SPIE; Nov2006, Issue 1, p612109-612109-12, 12p
Konferencja

Ta witryna wykorzystuje pliki cookies do przechowywania informacji na Twoim komputerze. Pliki cookies stosujemy w celu świadczenia usług na najwyższym poziomie, w tym w sposób dostosowany do indywidualnych potrzeb. Korzystanie z witryny bez zmiany ustawień dotyczących cookies oznacza, że będą one zamieszczane w Twoim komputerze. W każdym momencie możesz dokonać zmiany ustawień dotyczących cookies