- Tytuł:
- Analysis of off-state leakage mechanisms in GaN-based MIS-HEMTs: Experimental data and numerical simulation
- Autorzy:
- Źródło:
- In Solid State Electronics November 2015 113:9-14
Czasopismo naukowe
Drogi użytkowniku, aplikacja do prawidłowego działania wymaga obsługi JavaScript. Proszę włącz obsługę JavaScript w Twojej przeglądarce.