- Tytuł:
- Evolution of lattice distortions in 4H-SiC wafers with varying doping
- Autorzy:
- Źródło:
- Scientific Reports. 10(1)
Czasopismo naukowe
Drogi użytkowniku, aplikacja do prawidłowego działania wymaga obsługi JavaScript. Proszę włącz obsługę JavaScript w Twojej przeglądarce.