- Tytuł:
-
Quantification of Si Dopant in β-Ga
2 O3 -Based Semiconductor Gas Sensors by Total Reflection X-Ray Fluorescence Spectroscopy (TXRF) - Autorzy:
- Źródło:
- Inorganic Materials. 59(14):1433-1436
Czasopismo naukowe
Drogi użytkowniku, aplikacja do prawidłowego działania wymaga obsługi JavaScript. Proszę włącz obsługę JavaScript w Twojej przeglądarce.