Informacja

Drogi użytkowniku, aplikacja do prawidłowego działania wymaga obsługi JavaScript. Proszę włącz obsługę JavaScript w Twojej przeglądarce.

Przeglądasz jako GOŚĆ

Wyszukujesz frazę ""SCHOTTKY barrier"" wg kryterium: Temat


Tytuł :
Au/p-Si, Au/PVA/p-Si ve Au/PVA:Gr/p-Si Schottky Bariyer Diyotların Üretimi ve Temel Elektriksel Özelliklerinin İncelenmesi.
Autorzy :
ERSÖZ DEMİR, Gülçin
Pokaż więcej
Alternatywny tytuł :
The Fabrication of Au/p-Si, Au/PVA/p-Si and Au/PVA:Gr/p-Si Schottky Barrier Diodes and The Investigation of Their Basic Electrical Properties.
Źródło :
Journal of the Institute of Science & Technology / Fen Bilimleri Estitüsü Dergisi. 2021, Vol. 11 Issue 1, p157-168. 12p.
Czasopismo naukowe
Tytuł :
Modified expressions of field and thermionic-field emission for Schottky barrier diodes in the reverse regime.
Autorzy :
Latreche, A.
Pokaż więcej
Alternatywny tytuł :
Модифіковані рівняння польового та термоіонно-польового випромінювання для бар'єрних діодів Шотткі у зворотному режимі
Źródło :
Semiconductor Physics, Quantum Electronics & Optoelectronics. 2021, Vol. 24 Issue 1, p16-21. 6p.
Czasopismo naukowe
Tytuł :
Grafen oksitin modifiye Hummers yöntemi ile sentezi ve film olarak Al/GO/n- InP diyot performansına etkileri.
Autorzy :
CİMİLLİ ÇATIR, Fulya Esra
Pokaż więcej
Alternatywny tytuł :
Synthesis of graphene oxide by modified Hummers method and its effects on Al/GO/n-InP diode performance as interlayer film.
Źródło :
Gümüshane Üniversitesi Fen Bilimleri Enstitüsü Dergisi. 2021, Vol. 11 Issue 1, p235-244. 10p.
Czasopismo naukowe
Tytuł :
Defect suppression in wet-treated etched-and-regrown nonpolar m-plane GaN vertical Schottky diodes: A deep-level optical spectroscopy analysis.
Autorzy :
Aragon, Andrew (AUTHOR)
Monavarian, Morteza (AUTHOR)
Pickrell, Greg (AUTHOR)
Crawford, Mary (AUTHOR)
Allerman, Andrew (AUTHOR)
Feezell, Daniel (AUTHOR)
Armstrong, Andrew M. (AUTHOR)
Pokaż więcej
Źródło :
Journal of Applied Physics. 11/14/2020, Vol. 128 Issue 18, p1-9. 9p.
Czasopismo naukowe
Tytuł :
Parasitic p–n junctions formed at V-pit defects in p-GaN.
Autorzy :
Vergeles, P. S.
Yakimov, E. B.
Polyakov, A. Y.
Shchemerov, I. V.
Chernykh, A. V.
Vasilev, A. A.
Kochkova, A. I.
Lee, In-Hwan
Pearton, Stephen J.
Pokaż więcej
Temat :
CATHODOLUMINESCENCE
DEEP level transient spectroscopy
SCHOTTKY barrier diodes
CHEMICAL vapor deposition
OHMIC contacts
SCANNING electron microscopy
Źródło :
Journal of Applied Physics; 4/21/2021, Vol. 129 Issue 15, p1-7, 7p
Czasopismo naukowe
Tytuł :
Determination of temperature dependence of electron effective mass in 4H-SiC from reverse current-voltage characteristics of 4H-SiC Schottky barrier diodes.
Autorzy :
Latreche, A.
Pokaż więcej
Alternatywny tytuł :
Визначення температурної залежності ефективної маси електрона в 4H-SiC від зворотних вольт-амперних характеристик діодів з бар’єром Шотткі на основі 4H-SiC.
Źródło :
Semiconductor Physics, Quantum Electronics & Optoelectronics. 2020, Vol. 23 Issue 3, p271-275. 5p.
Czasopismo naukowe

Ta witryna wykorzystuje pliki cookies do przechowywania informacji na Twoim komputerze. Pliki cookies stosujemy w celu świadczenia usług na najwyższym poziomie, w tym w sposób dostosowany do indywidualnych potrzeb. Korzystanie z witryny bez zmiany ustawień dotyczących cookies oznacza, że będą one zamieszczane w Twoim komputerze. W każdym momencie możesz dokonać zmiany ustawień dotyczących cookies