Temat: "SCHOTTKY barrier" - OpacWWW

Skocz do pozycji: 1.

Tytuł:: 金刚石肖特基二极管的研究进展.
Autorzy:: 彭博
李奇
 张舒淼
 樊叔维
 王若铮
 王宏兴; Pokaż więcej
Alternatywny tytuł:: Research Progress of Diamond Schottky Barrier Diodes.
Źródło:: Journal of Synthetic Crystals. May2023, Vol. 52 Issue 5, p732-745. 14p.

Czasopismo naukowe

na półce

Pełny tekst Szczegóły

Skocz do pozycji: 2.

Tytuł:: Ultra-wide single crystal nanobelts of β-Ga2O3 synthesized by carbothermal reduction.
Autorzy:: Chen, Haifeng (AUTHOR)
Ma, Ke (AUTHOR)
Lu, Qin (AUTHOR)
Li, Xiaoyang (AUTHOR)
Liu, Xiangtai (AUTHOR)
Hao, Yue (AUTHOR); Pokaż więcej
Źródło:: Applied Physics A: Materials Science & Processing. Mar2023, Vol. 129 Issue 3, p1-8. 8p. 2 Color Photographs, 3 Diagrams, 2 Charts.

Czasopismo naukowe

na półce

Pełny tekst Pełny tekst Szczegóły

Skocz do pozycji: 3.

Tytuł:: β-Ga2O3 Schottky Barrier Diodes with Near-Zero Turn-on Voltage and Breakdown Voltage over 3.6 kV
Autorzy:: Cho, Kyu Jun
Chang, Woojin
Lee, Hoon-Ki
Mun, Jae KyoungAff1, IDs42341024005290_cor4; Pokaż więcej
Źródło:: Transactions on Electrical and Electronic Materials. :1-5

Czasopismo naukowe

na półce

Szczegóły

Skocz do pozycji: 4.

Tytuł:: β-Ga 2 O 3 Schottky Barrier Diode with Ion Beam Sputter-Deposited Semi-Insulating Layer.
Autorzy:: Yakovlev, Nikita N.
Almaev, Aleksei V.
Kushnarev, Bogdan O.
Verkholetov, Maksim G.
Poliakov, Maksim V.
Zinovev, Mikhail M.; Pokaż więcej
Temat:: PLASMA diodes
SCHOTTKY barrier diodes
ION beams
SCHOTTKY barrier
DIELECTRIC thin films
INDIUM tin oxide
NICKEL films
Źródło:: Crystals (2073-4352); Feb2024, Vol. 14 Issue 2, p123, 12p

Czasopismo naukowe

na półce

Szczegóły

Skocz do pozycji: 5.

Tytuł:: Influence of surface trap states on RF/microwave performance of lateral AlGaN/GaN Schottky barrier diode.
Autorzy:: Shaikshavali, Dudekula (AUTHOR)
Kannadassan, D. (AUTHOR); Pokaż więcej
Źródło:: Journal of Electromagnetic Waves & Applications. Jan 2022, Vol. 36 Issue 1, p29-47. 19p.

Czasopismo naukowe

na półce

Pełny tekst Pełny tekst Szczegóły

Skocz do pozycji: 6.

Tytuł:: Fabrication of vertical GaN Schottky barrier diodes on free-standing GaN substrates and their characterization
Autorzy:: Jung, Gyeong-Hun
Park, Minwoo
Kim, Kyoung-Kook
Kim, Jongseob
Cho, JaeheeAff3, IDs40042023009829_cor5; Pokaż więcej
Źródło:: Journal of the Korean Physical Society. 84(1):78-82

Czasopismo naukowe

na półce

Szczegóły

Skocz do pozycji: 7.

Tytuł:: Dynamic performance of 6.5 kV SiC MOSFET body diodes and anti-parallel Schottky barrier diodes.
Autorzy:: Du, Yujie (AUTHOR)
Tang, Xinling (AUTHOR)
Wei, Xiaoguang (AUTHOR)
Sun, Shuai (AUTHOR)
Yang, Fei (AUTHOR)
Zhao, Zhibin (AUTHOR); Pokaż więcej
Źródło:: Journal of Power Electronics. Jun2023, Vol. 23 Issue 6, p1028-1040. 13p.

Czasopismo naukowe

na półce

Szczegóły

Skocz do pozycji: 8.

Tytuł:: Physical origins of the ideality factor of the current equation in Schottky junctions.
Autorzy:: Mao, Ling-Feng (AUTHOR); Pokaż więcej
Źródło:: Pramana: Journal of Physics. 2020, Vol. 94 Issue 1, p1-8. 8p.

Czasopismo naukowe

na półce

Pełny tekst Pełny tekst Szczegóły

Skocz do pozycji: 9.

Tytuł:: Differential Depletion Charge Density of the Approximation of Schottky Diodes as Ohmic Annealed a Variety of Temperatures.
Autorzy:: Korkut, Abdulkadir; Pokaż więcej
Źródło:: Gazi University Journal of Science. Jun2020, Vol. 33 Issue 2, p525-539. 15p.

Czasopismo naukowe

na półce

Pełny tekst Szczegóły

Skocz do pozycji: 10.

Tytuł:: High Performance Pd/4H-SiC Epitaxial Schottky Barrier Radiation Detectors for Harsh Environment Applications.
Autorzy:: Mandal, Krishna C.
Chaudhuri, Sandeep K.
Nag, Ritwik; Pokaż więcej
Temat:: NUCLEAR counters
SCHOTTKY barrier
DEEP level transient spectroscopy
NUCLEAR reactors
WIDE gap semiconductors
HEAT resistant alloys
Źródło:: Micromachines; Aug2023, Vol. 14 Issue 8, p1532, 13p

Czasopismo naukowe

na półce

Szczegóły

Skocz do pozycji: 11.

Tytuł:: Structural, Optical and Electrical Properties of Undoped, Doped LaPO4 and Cu/Sn-LaPO4/N-Si Type Schottky Barrier Diode
Autorzy:: Mariappan, R.Aff1, IDs1263302302366x_cor1
Priya, R.
Bakkiyaraj, R.
Karthikeyan, A.Aff1, Aff3; Pokaż więcej
Źródło:: Silicon. 15(11):4811-4821

Czasopismo naukowe

na półce

Szczegóły

Skocz do pozycji: 12.

Tytuł:: Comprehensive experimental study on Schottky contact super barrier rectifier.
Autorzy:: Yu, Qisheng (AUTHOR)
Zhang, Zhengyuan (AUTHOR)
Zhang, Aohang (AUTHOR)
Huang, Jiaweiwen (AUTHOR)
Chen, Wensuo (AUTHOR); Pokaż więcej
Źródło:: Microelectronics Journal. Feb2024, Vol. 144, pN.PAG-N.PAG. 1p.

Czasopismo naukowe

na półce

Szczegóły

Skocz do pozycji: 13.

Tytuł:: Achieving high-quality silver sintered joint for highly-reliable schottky barrier diodes via pressureless method
Autorzy:: Chenyi Dai
Yong Wang
Pengrong Lin
Zilin Hao
Chaoyang Wang
Xiaocheng Feng
Xueming Liu; Pokaż więcej
Temat:: silver sintered joint
schottky barrier diode
pressureless method
high-reliability
temperature cycling
Technology
Źródło:: Frontiers in Materials, Vol 10 (2023)
Opis pliku:: electronic resource
Relacje:: https://www.frontiersin.org/articles/10.3389/fmats.2023.1297827/full; https://doaj.org/toc/2296-8016
Dostęp URL:: https://doaj.org/article/b74f6baafc8d43c18495cc60ca473d13 Link otwiera się w nowym oknie

Czasopismo naukowe

na półce

Szczegóły

Skocz do pozycji: 14.

Tytuł:: Electrical Properties of High-Quality Synthetic Boron-Doped Diamond Single Crystals and Schottky Barrier Diodes on Their Basis.
Autorzy:: Bormashov, V. S.
Tarelkin, S. A.
Buga, S. G.
Volkov, A. P.
Golovanov, A. V.
Kuznetsov, M. S.
Kornilov, N. V.
Teteruk, D. V.
Luparev, N. V.
Terent'ev, S. A.
Blank, V. D.; Pokaż więcej
Źródło:: Inorganic Materials. Dec2018, Vol. 54 Issue 15, p1469-1476. 8p.

Czasopismo naukowe

na półce

Pełny tekst Pełny tekst Szczegóły

Skocz do pozycji: 15.

Tytuł:: Temperature-dependent capacitance-voltage characteristics of β-Ga2O3 Schottky barrier diodes with (001) epitaxial grown layer using MOCVD.
Autorzy:: Vo, Thanh Huong (AUTHOR)
Kim, Sunjae (AUTHOR)
Kim, Hyeong-Yun (AUTHOR)
Park, Ji-Hyeon (AUTHOR)
Jeon, Dae-Woo (AUTHOR)
Hwang, Wan Sik (AUTHOR); Pokaż więcej
Źródło:: Materials Science in Semiconductor Processing. Apr2024, Vol. 173, pN.PAG-N.PAG. 1p.

Czasopismo naukowe

na półce

Szczegóły

Skocz do pozycji: 16.

Tytuł:: Crystallographic, theoretical and conductivity studies of two new complexes [Ni(II) and Cu(II)] based on mixed ligands approach.
Autorzy:: Ghosh, Nirvik (AUTHOR)
Afzal, Mohd (AUTHOR)
Das, Dhananjoy (AUTHOR)
Ray, Partha Pratim (AUTHOR)
Pramanik, Samit (AUTHOR)
Pathak, Sudipta (AUTHOR)
Das, Kinsuk (AUTHOR)
Gomila, Rosa M. (AUTHOR)
Frontera, Antonio (AUTHOR)
Mukhopadhyay, Subrata (AUTHOR); Pokaż więcej
Źródło:: Journal of Molecular Structure. Feb2024:Part 2, Vol. 1298, pN.PAG-N.PAG. 1p.

Czasopismo naukowe

na półce

Szczegóły

Skocz do pozycji: 17.

Tytuł:: Interface improvement of epitaxial 4H-SiC based Schottky didoes by selective heavy ion irradiation
Autorzy:: Kumar, VibhorAff1, Aff2, IDs13204020016083_cor1
Kumar, Sandeep
Maan, A. S.
Akhtar, Jamil; Pokaż więcej
Źródło:: Applied Nanoscience. 13(1):221-228

Czasopismo naukowe

na półce

Szczegóły

Skocz do pozycji: 18.

Tytuł:: A compact model based on the Lambert function for AlGaN/GaN Schottky barrier gated-edge termination.
Autorzy:: Trojman, Lionel (AUTHOR)
Acurio, Eliana (AUTHOR)
De Jaeger, Brice (AUTHOR)
Posthuma, Niels (AUTHOR)
Decoutere, Stefaan (AUTHOR)
Bakeroot, Benoit (AUTHOR); Pokaż więcej
Źródło:: Solid-State Electronics. Dec2023, Vol. 210, pN.PAG-N.PAG. 1p.

Czasopismo naukowe

na półce

Szczegóły

Skocz do pozycji: 19.

Tytuł:: β-Ga2O3 Schottky Barrier Diode with Ion Beam Sputter-Deposited Semi-Insulating Layer
Autorzy:: Nikita N. Yakovlev
Aleksei V. Almaev
Bogdan O. Kushnarev
Maksim G. Verkholetov
Maksim V. Poliakov
Mikhail M. Zinovev; Pokaż więcej
Temat:: β-Ga2O3
ITO
Schottky barrier diode
ion beam sputter deposition
intermediate semiconductor layer
Crystallography
QD901-999
Źródło:: Crystals, Vol 14, Iss 2, p 123 (2024)
Opis pliku:: electronic resource
Relacje:: https://www.mdpi.com/2073-4352/14/2/123; https://doaj.org/toc/2073-4352
Dostęp URL:: https://doaj.org/article/21128d7b1a2948d884242d7f405f6f8e Link otwiera się w nowym oknie

Czasopismo naukowe

na półce

Szczegóły

Skocz do pozycji: 20.

Tytuł:: Investigation of 4H-SiC Schottky barrier diodes irradiated with 6 MeV Au ions at low temperature.
Autorzy:: Wang, Shaomin (AUTHOR)
Hu, Rongbin (AUTHOR)
Chen, Gang (AUTHOR)
Luo, Chengtao (AUTHOR)
Gong, Min (AUTHOR)
Li, Yun (AUTHOR)
Huang, Mingmin (AUTHOR)
Ma, Yao (AUTHOR)
Yang, Zhimei (AUTHOR); Pokaż więcej
Źródło:: Nuclear Instruments & Methods in Physics Research Section B. May2021, Vol. 494, p53-58. 6p.

Czasopismo naukowe

na półce

Szczegóły

Informacja

Wyszukujesz frazę ""SCHOTTKY barrier"" wg kryterium: Temat

Źródło danych

Ogranicz do:

Ogranicz do bazy

Typ dokumentu

Temat

Wydawca

Publikacja

Język

Rok publikacji