Informacja

Drogi użytkowniku, aplikacja do prawidłowego działania wymaga obsługi JavaScript. Proszę włącz obsługę JavaScript w Twojej przeglądarce.

English (EN)·Polski (PL)·Ukraiński (UK)
Przejdź do strony domowej biblioteki Uniwersytet Ekonomiczny we Wrocławiu Link otwiera się w nowym oknie Logo biblioteki Prolib Integro - strona głównaUniwersytet Ekonomiczny we Wrocławiu

Wyszukujesz frazę ""SEMICONDUCTOR doping"" wg kryterium: Temat

  Lista filtrów
Wyrównaj
    Wyświetlanie 1-1 z 1
    Tytuł:
    Interlayer Dielectric Capping Effect on Thermal Stability of Ni Germanide on Doped Ge-on-Si Substrate for Nano-scale Ge MOSFETs.
    Autorzy:
    Ying-Ying Zhang
    Jungwoo Oh
    Shi-Guang Li
    Kee-Young Park
    Hong-Sik Shin
    In-Shik Han
    Hyuk-Mim Kwon
    Ga-Won Lee
    Jin-Suk Wang
    Prashant Majhi
    Raj Jammy
    Hi-Deok Lee
    Pokaż więcej
    Źródło:
    World Congress on Engineering 2009 (Volume 1). 2009, p423-426. 4p. 4 Diagrams, 1 Chart, 3 Graphs.
    Książka
    Pełny tekst  Link otwiera się w nowym oknieSzczegóły
      Wyświetlanie 1-1 z 1

      Ta witryna wykorzystuje pliki cookies do przechowywania informacji na Twoim komputerze. Pliki cookies stosujemy w celu świadczenia usług na najwyższym poziomie, w tym w sposób dostosowany do indywidualnych potrzeb. Korzystanie z witryny bez zmiany ustawień dotyczących cookies oznacza, że będą one zamieszczane w Twoim komputerze. W każdym momencie możesz dokonać zmiany ustawień dotyczących cookies