Informacja

Drogi użytkowniku, aplikacja do prawidłowego działania wymaga obsługi JavaScript. Proszę włącz obsługę JavaScript w Twojej przeglądarce.

Wyszukujesz frazę ""SEMICONDUCTOR wafer bonding"" wg kryterium: Temat


Tytuł:
A monolithic microfluidic probe for ambient mass spectrometry imaging of biological tissues.
Autorzy:
Jiang, Li-Xue
Polack, Matthias
Li, Xiangtang
Yang, Manxi
Belder, Detlev
Laskin, Julia
Pokaż więcej
Temat:
TISSUES
DESORPTION electrospray ionization
SEMICONDUCTOR wafer bonding
MICROFLUIDIC devices
FUSED silica
MASS spectrometry
ELECTROSPRAY ionization mass spectrometry
Źródło:
Lab on a Chip; 11/7/2023, Vol. 23 Issue 21, p4664-4673, 10p
Czasopismo naukowe
Tytuł:
Multilayer Etched Antireflective Structures for Silicon Vacuum Windows.
Autorzy:
Macioce, T. (AUTHOR)
Defrance, F. (AUTHOR)
Jung-Kubiak, C. (AUTHOR)
Rahiminejad, S. (AUTHOR)
Sayers, J. (AUTHOR)
Connors, J. (AUTHOR)
Chattopadhyay, G. (AUTHOR)
Golwala, S. R. (AUTHOR)
Radford, S. J. E. (AUTHOR)
Pokaż więcej
Źródło:
Journal of Low Temperature Physics. May2020, Vol. 199 Issue 3/4, p935-942. 8p.
Czasopismo naukowe
Tytuł:
Comparison of Anodic and Au-Au Thermocompression Si-Wafer Bonding Methods for High-Pressure Microcooling Devices.
Autorzy:
Bargiel, Sylwester
Cogan, Julien
Queste, Samuel
Oliveri, Stefania
Gauthier-Manuel, Ludovic
Raschetti, Marina
Leroy, Olivier
Beurthey, Stéphan
Perrin-Terrin, Mathieu
Pokaż więcej
Temat:
SEMICONDUCTOR wafer bonding
SILICON detectors
FAILURE analysis
SEALING (Technology)
BOND strengths
MICROFLUIDIC devices
Źródło:
Micromachines; Jul2023, Vol. 14 Issue 7, p1297, 18p
Czasopismo naukowe
Tytuł:
TCAD Analysis of Leakage Current and Breakdown Voltage in Small Pitch 3D Pixel Sensors.
Autorzy:
Ye, Jixing
Boughedda, Abderrezak
Sultan, D M S
Dalla Betta, Gian-Franco
Pokaż więcej
Temat:
STRAY currents
IMPACT ionization
ELECTRIC breakdown
DAMAGE models
BREAKDOWN voltage
SEMICONDUCTOR wafer bonding
INTERNET content management systems
SILICON diodes
Źródło:
Sensors (14248220); May2023, Vol. 23 Issue 10, p4732, 14p
Czasopismo naukowe
Tytuł:
Large‐Diameter III–V on Si Substrates by the Smart Cut Process: The 200 mm InP Film on Si Substrate Example.
Autorzy:
Ghyselen, Bruno (AUTHOR)
Navone, Christelle (AUTHOR)
Martinez, Muriel (AUTHOR)
Sanchez, Loic (AUTHOR)
Lecouvey, Christophe (AUTHOR)
Montmayeul, Brigitte (AUTHOR)
Servant, Florence (AUTHOR)
Maitrejean, Sylvain (AUTHOR)
Radu, Ionut (AUTHOR)
Pokaż więcej
Źródło:
Physica Status Solidi. A: Applications & Materials Science. Feb2022, Vol. 219 Issue 4, p1-8. 8p.
Czasopismo naukowe

Ta witryna wykorzystuje pliki cookies do przechowywania informacji na Twoim komputerze. Pliki cookies stosujemy w celu świadczenia usług na najwyższym poziomie, w tym w sposób dostosowany do indywidualnych potrzeb. Korzystanie z witryny bez zmiany ustawień dotyczących cookies oznacza, że będą one zamieszczane w Twoim komputerze. W każdym momencie możesz dokonać zmiany ustawień dotyczących cookies